碲镉汞（HgCdTe），英文简称MCT，是由碲、镉、汞组成的三元固溶体，是一种窄带半导体材料，具有电子有效质量小、电子迁移率高、响应速度快等优点。碲镉汞材料主要应用在远红外探测领域，是一种重要的红外探测器材料，可用来制造碲镉汞红外探测器。
20世纪70年代以来，受益于晶体生长技术、外延技术不断进步，碲镉汞材料研究逐步深入。碲镉汞属于带隙可调半导体材料，通过调节组分中镉（Cd）的含量，可精确控制材料禁带宽度、改变波长，可以完全覆盖短波、中波、长波等整个红外波段，利用碲镉汞为敏感材料制造而成的碲镉汞红外探测器具有波长覆盖范围宽、图像质量高、灵敏度高、探测率高等优点，因此碲镉汞成为红外探测器行业的关键材料之一。
碲镉汞是由离子键结合的三元半导体材料，碲、镉、汞之间互作用力小，组分中汞的性质不稳定，各组分含量的微小偏差即会引起带隙变化，因此碲镉汞材料易出现组分不均匀、产品不稳定等缺陷问题，材料在生长过程中工艺控制难度高，且加工难度大。总的来看，碲镉汞材料成品率低、生产成本高，制造的碲镉汞红外探测器属于高端产品，价格高昂，主要应用在军工及科研领域。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年碲镉汞（MCT）行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，2021年，全球红外探测器市场规模约为5.3亿美元，预计到2026年将增长至7.2亿美元以上。碲镉汞红外探测器是高性能探测器，应用范围较窄，市场规模有限，但拥有较大增长潜力。以我国为例，我国综合国力不断增强，国防支出不断增长，高端武器装备制造实力不断提升，这有利于我国碲镉汞红外探测器市场发展。由此来看，碲镉汞材料需求有望不断上升。
新思界
行业分析人士表示，碲镉汞是制造第三代高性能红外探测器的主要材料之一，其制备难度高，至2015年前后，欧美技术成熟企业成品率仅在10%左右。碲镉汞探测器在高端武器装备中作用重要，作为关键原材料的碲镉汞出口受到限制，我国必须实现自主生产。1997年1月，中国科学院上海技术物理研究所建立的“固体区熔1-3μm碲镉汞晶体材料生长技术”通过鉴定，我国具备了碲镉汞自主生产实力。
目前在全球范围内，碲镉汞材料、碲镉汞衬底、碲镉汞红外探测器相关生产商主要有美国DRS、美国FLIR Systems、美国Excelitas Technologies、法国ULIS、英国Raptor Photonics、波兰VIGO System SA、中国高德红外等。
