锑化镓（GaSb），锑化物半导体的一种，是III族元素镓（Ga）与V族元素锑（Sb）化合形成的半导体材料，属于III-V族化合物窄带隙半导体，外观为灰白色晶体状，为立方晶系、闪锌矿结构。锑化镓是第四代半导体材料，同时也是第三代红外技术材料，其工作波段覆盖近红外到远红外，开发应用价值大。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2027年中国锑化镓（GaSb）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，锑化镓是第四代半导体材料中窄带隙半导体的代表性产品之一，具有电子迁移率高、功耗低的特点，其禁带宽度可以在较宽的范围内进行调节，在中长波红外波段探测性能优异。锑化镓常用作衬底材料，可以广泛应用在红外探测器、激光器、发光二极管、光通信、太阳能电池等行业中。21世纪初期，锑化镓作为新一代半导体材料发展潜力受到重视，技术及应用研究不断深入。
在光通信中，波长越长的光在传输过程中损耗越低，工作波长2-4μm的非硅材料光传输损耗更低，锑化镓可以工作在此波段范围内，并且能够与其他III-V族材料晶格常数相匹配，制得的GaSb/GaInAsSb等产品光谱范围符合光通信的低损耗要求。因此，锑化镓在光通信市场中拥有巨大发展潜力。
在红外探测器领域，锑化镓凭借光谱覆盖范围宽、频带宽度可调节的优势，以其为衬底制备的二类超晶格材料例如InAs/GaSb探测性能优异、成像质量高，可制造高性能红外焦平面成像阵列，特别是在中红外探测器制造中具有不可替代性，而红外焦平面成像阵列具有多色、大面阵、功能集成化的特点，是第三代红外探测器。由此可见，锑化镓在红外探测器领域市场空间大。
除此之外，锑化镓在太阳能电池中也有巨大应用价值。2017年7月，美国乔治华盛顿大学与其他科研机构、高校以及公司合作，设计出一款锑化镓基太阳能电池，可以捕获不同波长的太阳光，光电转化效率达到44.5%，远高于同期其他太阳能电池。
新思界
行业分析人士表示，锑化镓开发应用价值大，因此进入布局的企业数量不断增多。在海外，锑化镓相关厂商主要有美国元素、美国ALB Materials、美国Galaxy Compound Semiconductors等；在我国，有研新材于2020年8月成功生长出直径2.5英寸锑化镓单晶。从全球来看，美国在锑化镓市场中竞争力较强，拥有较多的技术水平先进的生产商。
