砷化铟（InAs），是以III族元素铟（In）与V族元素砷（As）化合形成的III-V族化合物半导体材料。砷化铟常温下外观为银灰色固体状，为闪锌矿型晶体结构，可以在常压条件下由熔体生长单晶，常用的方法有液封直拉法（LEC）、水平布里奇曼法（HB）等，其中液封直拉法是主流制备工艺。砷化铟制备难度较低，但纯化难度高。
砷化铟具有电子迁移率高、迁移率比值高、磁阻效应低、电阻温度系数小等特点，适用于制造霍尔器件、磁阻器件等。由砷化铟制造而成的霍尔器件灵敏度高、温度稳定性好，砷化铟霍尔器件的灵敏度低于锑化铟（InSb）霍尔器件，温度稳定性低于砷化镓（GaAs）霍尔器件，但其灵敏度与温度稳定性之间平衡性最优；砷化铟磁敏感性优，是除了锑化铟以外制造磁阻器件的重要材料。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年砷化铟（InAs）行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，砷化铟可作为衬底材料，在其上生长晶格匹配的GaSb、GaInSb、InAsSb、GaAsSb、InAsPSb、AlGaSb等外延材料，可用来制造激光器、红外探测器等。以InAs/GaSb、InAs/GaInSb为代表的二类超晶格，是两种不同组元以纳米形式薄层交替生长形成的多层膜材料，产品均匀度高、成品率较高、工作温度高，并具有带隙可调节、光谱覆盖范围宽的优点，制造而成的红外探测器探测效率高。
半导体激光器具有体积小、可靠性高、能耗低、可电流调制、可输出高速激光等优点，可广泛应用在光通信、光存储、激光测距、激光打印、激光加工、国防军工、航空航天等领域。半导体激光器采用半导体材料为工作物质，砷化铟是重要组分，制造成半导体面结型二极管后，注入电流释放光子，经谐振器放大形成激光。此外，砷化铟还可以制备带势垒层结构的砷化铟热光伏电池等，下游可应用范围广。
新思界
行业分析人士表示，经过不断发展，目前半导体材料已发展至第四代，第四代半导体材料以窄带隙半导体材料、超宽带隙半导体材料、低维碳基半导体材料与二维半导体材料为主，其中，窄带隙半导体材料以锑化镓、砷化铟为代表。砷化铟是第四代半导体材料的代表性产品之一，属于III-V族、锑化物半导体，在探测、成像、传感、激光等领域具有重要作用，拥有巨大发展空间。总的来看，砷化铟行业未来发展前景广阔。
