InGaAs，砷化铟镓，也直接称为铟镓砷，是以III族元素镓（Ga）、铟（In）与V族元素砷（As）化合形成的三元化合物半导体材料，是一种III-V族半导体。根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年砷化铟镓（InGaAs）行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，砷化铟镓具有晶格匹配性好、带隙可调节、大尺寸产品均匀性好等优点，是第四代半导体材料，也是新一代红外发光材料，在光电芯片、红外探测器、传感器等领域拥有巨大应用价值。
在光电芯片领域，为制造体积更小、功能集成度更高的晶体管，传统硅材料已无法满足需求，砷化铟镓可达到此要求。2012年，美国麻省理工学院团队研制出当时最小的砷化铟镓晶体管，2020年在此基础上进一步研制出更小、更高效的砷化铟镓晶体管，并证明了砷化铟镓材料本身不存在导致晶体管性能小规模范围劣化的问题。2016年，中科院微电子所研制出铟镓砷（InGaAs）MOSFET射频开关芯片，具有高射频输出功率和功率附加效率。
在红外探测器领域，砷化铟镓可用作短波红外光电材料，制造短波红外探测器，也可以与其他III-V族半导体相配合制备超晶格材料，例如以磷化铟为衬底，外延生长砷化铟镓，制备得到InP/InGaAs超晶格，此材料稳定性高、均匀度高，以其为敏感材料制造而成的红外探测器，具有高灵敏度、高可靠性、低功耗、低成本等优点，可以广泛应用在智能驾驶、安防监控、仪器仪表等领域。
在传感器领域，由于砷化铟镓灵敏度高，可制造InGaAs红外扫描相机，是OCT（光学相干断层扫描）的关键组成部分，可提高人体组织穿透性，并实现高速成像。OCT是新型医学影像技术，在生物组织活体检测与成像方面效果显著，在临床上可以广泛应用在眼科、牙科、皮肤科、癌症早期诊断等方面，是医疗领域重要疾病诊断技术之一，此外也可以应用于工业测量领域。
新思界
行业分析人士表示，在全球范围内，由于砷化铟镓综合性能优越，下游可应用范围广，且部分下游行业发展迅速，其市场空间在不断增大，因此全球砷化铟镓相关生产商不断增多。全球化铟镓生产商主要有日本滨松Hamamatsu Photonics、日本Kyosemi Corporation、瑞士Albis Optoelectronics AG、德国First Sensor、德国Laser Components、美国OSI Optoelectronics、美国Excelitas Technologies、美国AMS Technologies、美国Voxtel、美国Luna Innovations等，领先企业同时具备砷化铟镓材料以及InGaAs芯片、InGaAs探测器、InGaAs相机等相关器件制造能力。
