III-V族半导体，是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料，常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟，常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料，例如GaN，也包括第四代半导体材料，以GaSb、InAs为代表。从带隙来看，第四代半导体材料主要有两大发展方向，一是窄带隙半导体，二是超宽带隙半导体。III-V族半导体在第四代窄带隙半导体中占据核心地位。
以第三代半导体材料来看，III-V族半导体GaN发展与另一材料SiC并重，地位重要性突出。以第四代半导体材料来看，常见的III-V族半导体种类多样，主要有GaSb、InAs、InSb、InAsSb、InGaAs、AlGaSb、InAlSb、AlGaAsSb、GaInAsSb等，包括二元、三元、四元化合物，其中锑化物半导体最为经典；除直接应用外，两种不同的III-V族半导体可以纳米薄层的形式交替生长形成二类超晶格材料，是新一代红外发光材料，其禁带宽度可调节、波长覆盖范围宽。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年III-V族半导体行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，III-V族半导体的电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好、能耗低、制备工艺较为简单，产品综合性能优异且可实现大规模生产，并具有设计灵活性高、自由度高的特点，应用领域涉及军用与民用，包括红外探测、激光、光电芯片等方面，可广泛应用在微电子、集成电路、红外探测器、激光器、通信、光伏发电、医学诊断、环境监测、武器装备、航空航天等领域，拥有极大发展空间。
III-V族半导体作为第三代、第四代半导体材料，研制及应用直接影响高科技产业发展，因此21世纪以来受到全球多个国家的重视，其先进技术被垄断、出口受到限制。我国电子信息产业发展迅速，微电子、集成电路等生产规模持续扩大，高科技产业不断壮大，航空航天、军工装备生产实力不断增强，新型半导体材料必须实现自主生产，推动了我国III-V族半导体行业发展速度加快。
新思界
行业分析人士表示，在我国，三安光电是代表性III-V族半导体厂商之一，产品线涉及外延片、芯片、光通讯器件、射频器件、滤波器、功率半导体等；2021年7月，众合科技子公司焜腾红外建成并投产III-V族（砷化镓、磷化铟、氮化镓）化合物半导体芯片工艺加工平台；2021年9月，晋城市光机电产业研究院建设的锑化物半导体项目进入试运行阶段，预计2022年芯片产能将达到1万片，是我国首条第四代半导体生产线。我国III-V族半导体生产规模及下游应用规模正在逐步扩大，行业未来发展前景极为广阔。
