硼磷硅玻璃即Boro-phospho-silicate Glass，简称BPSG，是指在二氧化硅（SiO2）中同时掺入磷杂质和硼杂质形成的硅氧化层，常用于半导体芯片前道制造工艺中。半导体芯片前道制造工艺主要包括氧化扩散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗等。其中薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺，是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等特殊性能的过程。而硼磷硅玻璃则是薄膜沉积工艺中应用较广的一类介质薄膜。
与同级产品磷硅玻璃相比，硼磷硅玻璃具有更卓越的填孔能力、高温流动能力、吸收与阻挡钠离子能力，可大幅提升硅片表面平坦化，从而为光刻及后道制造工艺提供更大的工艺范围，主要用作金属前介电质（PMD）与金属层间介电质（AVID）。
目前硼磷硅玻璃制造方法主要有PECVD（等离子体增强化学气相沉积）与SACVD（次大气压化学气相沉积）两种。其中SACVD是指在次常压环境下，将TEOS、TEB、TEPO等液体作为硅源、硼源和磷源经气化进入反应腔室，再对腔室中气体压力和温度进行精确控制，将气相化学反应材料在晶圆表面沉积形成薄膜的过程。SACVD工艺具有沉积速度更快、高深宽比沟槽填充能力更强优点，是目前硼磷硅玻璃的主要生产工艺。
TEOS（四氧基硅烷）、TEB（三乙氧基硼烷）、TEPO（三乙基磷酸酯）是生产硼磷硅玻璃的重要原材料，目前国内布局电子级TEOS、TEB、TEPO材料市场的企业数量还比较少，生产能力还比较低，未来本土企业还需不断提升技术工艺，加快突破原材料困境。
新思界
产业分析人员表示，同时，硼磷硅玻璃主要由SACVD设备制造而成，目前国内仅有一家企业拓荆科技实现SACVD设备的产业化应用。未来在硼磷硅玻璃需求持续增长背景下，SACVD设备的国产化进程还需持续提速。总体来看，当前在国内半导体芯片制程愈发先进背景下，硼磷硅玻璃市场需求持续增加，行业发展前景较好。但与此同时，国内硼磷硅玻璃行业发展还面临着原材料供给能力低、生产设备国产化程度低等困境，未来行业仍有巨大成长空间。
