双(叔丁基氨基)硅烷（BTBAS）是半导体前驱体材料 提纯工艺还在不断进步

　　双(叔丁基氨基)硅烷，别名双(叔丁氨基)硅烷、双(叔丁胺基)硅烷、N,N'-二(2-甲基-2-丙基)硅烷二胺，简称BTBAS，分子式C8H22N2Si，分子量174.359，外观为无色透明液体状，密度0.816g/cm3，沸点167℃，闪点30℃，挥发性较高，对水分敏感，遇水可水解。

 

　　根据新思界产业研究中心发布的《2025年中国双（叔丁基氨基）硅烷（BTBAS）市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示，双(叔丁基氨基)硅烷在半导体工业中可用作前驱体材料，利用化学气相沉积（CVD）工艺，于较低的温度条件下，在衬底之上沉积得到二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜，也可以利用原子层沉积（ALD）工艺，在衬底上精确沉积一定厚度的薄膜，例如纳米级氮化硅薄膜，这些薄膜可用作半导体器件绝缘层。

 

　　随着半导体工业技术不断进步，半导体器件尺寸不断缩小，能够防止短沟道效应的超浅结制备重要性日益突出，双(叔丁基氨基)硅烷可以在衬底上形成超浅结；双(叔丁基氨基)硅烷也可以用来制备浅沟道隔离薄膜，进而应用在存储芯片、逻辑芯片制造领域。总的来看，双(叔丁基氨基)硅烷在半导体产业中可以发挥重要作用。

 

　　双(叔丁基氨基)硅烷制备，通常是以叔丁胺、二氯硅烷为原料，在催化剂作用下反应得到，高纯度的电子级双(叔丁基氨基)硅烷需进一步精馏纯化。双(叔丁基氨基)硅烷的提纯工艺要求高，传统提纯技术无法满足99.99%（4N）及以上产品纯度要求。

 

　　我国双(叔丁基氨基)硅烷制备及提纯相关专利有浙江博瑞电子科技有限公司“一种双(叔丁基氨基)硅烷的精制方法”、贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司“一种电子级双-叔丁基氨基-硅烷的制造装置及制造方法”、金宏气体股份有限公司“电子级双(叔丁氨基)硅烷及其合成方法”、武汉新硅科技潜江有限公司“一种电子级双(叔丁氨基)硅烷的精馏提纯方法”等。

 

　　其中，金宏气体股份有限公司“电子级双（叔丁氨基）硅烷及其合成方法”专利，以叔丁基胺、正丁基锂、二氯二氢硅为原料制备双(叔丁基氨基)硅烷粗品，再经精馏、吸附工艺可以获得纯度6N级别的电子级双(叔丁基氨基)硅烷。新思界行业分析人士表示，在我国市场中，双(叔丁基氨基)硅烷生产企业主要有安徽博泰电子材料有限公司、铜陵安德科铭电子材料科技有限公司等。

 

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