硒化铟（InSe），化学式为In2Se3，是一种二维层状半导体材料。硒化铟外观呈黑色结晶性粉末，可溶于浓硫酸和浓盐酸，不溶于乙醇、水和二硫化碳。硒化铟具有载流子输运性、能带结构以及光学跃迁行为，在光电器件、半导体制造等领域拥有广阔应用前景。
硒化铟制备方法包括垂直布里奇曼法、富铟熔体法、气相熔体法、机械剥离法、物理气相沉积法、脉冲激光沉积法、液相溶剂剥离法等。机械剥离法为硒化铟传统制备方法，具备技术成熟度高、成品质量好等优势；物理气相沉积法可用于制备不同厚度的硒化铟薄膜；脉冲激光沉积法可用于制造晶圆级硒化铟；液相溶剂剥离法主要用于制造高浓度硒化铟悬浊液。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026年中国硒化铟（InSe）市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示，硒化铟在光电器件以及半导体制造等领域拥有广阔应用前景。在光电器件领域，硒化铟能隙为1.2-1.3eV，可用于制造光电探测器以及太阳能电池；在半导体领域，硒化铟晶圆可用于低功耗电子设备以及高性能计算中。随着应用需求增长，硒化铟行业发展迎来机遇。2025年全球硒化铟市场规模达到近5亿元，同比增长超过10%。
我国硒化铟市场主要参与者包括四川高纯材料科技有限公司、山东尧同实业有限公司、河北宏钜金属材料有限公司、四川鑫龙碲业科技开发有限责任公司等。近年来，随着行业景气度提升，我国硒化铟研发热情持续高涨，已有多家科研机构布局其研发赛道，主要包括北京大学、重庆大学、中国人民大学、深圳大学以及西北工业大学等。
虽然硒化铟应用前景广阔，但我国行业发展仍面临诸多挑战。一方面，硒化铟制备难度较大，需要对各项参数进行严格把控，我国现有技术无法满足高结晶性、大面积硒化铟制备要求；另一方面，我国硒化铟产业链体系尚未完善，存在原材料供应不足、运行成本高等问题。
新思界
行业分析人士表示，硒化铟作为一种二维半导体材料，应用前景较好。未来随着市场需求逐渐释放，我国硒化铟行业发展空间将得到进一步扩展。目前，我国硒化铟行业尚处于起步阶段，以实验室研发为主。未来随着研究深入、技术进步，我国硒化铟行业发展速度有望加快。
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