热丝CVD（HoFCVD）设备有望成为异质结电池降本新途径 行业迎来机遇期

　　热丝CVD设备，全称为催化化学气相沉积设备，简称HoFCVD设备，是指基于热丝CVD技术原理制备而成的集成电路薄膜沉积设备。热丝CVD技术原理是指利用SiH4（甲硅烷）、H2（氢气）等气体分子在加热金属丝上发生催化分解反应产生多种“不带电”的活性基团，再使活性基团落到基底表面发生粘附、迁移、化学成键等反应形成薄膜的过程。

 

　　与目前主流PECVD（等离子增强化学气相沉积）设备相比，HoFCVD设备工作原理更加简单，有着镀膜质量更好、速度更快优点，HoFCVD镀膜时薄膜与衬底均不受等离子体损伤；有着特气消耗量更低优点，HoFCVD镀膜时特种气体消耗量仅占PECVD消耗量的1-10%；有着不产生粉尘特点，HoFCVD沉积气压为1-2Pa，且活性基团不带电，因此工作无粉尘产生；有着成本更低优点，HoFCVD无需射频电源、匀气系统，且载板、腔体要求更低。

 

　　根据新思界产业研究中心发布的《2023-2028年热丝CVD（HoFCVD）设备行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，总体来看，HoFCVD在技术上规避了PECVD的技术壁垒与难点，从根源上实现了设备降本。HoFCVD作为一类低成本薄膜沉积设备，主要用于异质结电池的非晶硅薄膜沉积环节，可达到该环节设备成本降低50%以上目的，符合当下日益攀升的光伏降本增效发展新趋势，未来有望成为CVD技术的主流。

 

　　近年来，在国内光伏产业蓬勃发展背景下，异质结电池凭借着高转换效率、高开路电压、高双面率、低工艺温度逐步成为下一代主流光伏电池。2022年我国新增建设和规划中异质结电池产能已超110GW，出货量已超11GW。而限制异质结电池大规模量产的关键因素之一为设备成本过高，尤其是非晶硅薄膜沉积环节所需设备。因此，低成本的HoFCVD设备有望在短期内成为非晶硅薄膜沉积设备市场主流产品，市场迎来发展机遇期。

 

　　新思界行业分析人士表示，受日企技术垄断影响，我国HoFCVD设备行业起步时间较晚，直至进几年，国内才有一家江西汉可泛半导体技术企业实现了HoFCVD设备的量产，成为全球第二家HoFCVD设备供应商，走在世界前列。此外，在市场发展前景吸引下，国内还有众多企业积极入局HoFCVD设备研发赛道，如深圳捷佳伟创新能源装备。未来在国内企业研发进程不断加快背景下，我国HoFCVD设备国产化水平将不断提升，行业发展潜力巨大。

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