磁阻随机存储器（MRAM）是利用磁性薄膜材料的电阻随薄膜磁化方向的不同而发生变化来实现数据存储的存储器。磁阻随机存储器于上世纪90年代开始兴起，凭借读取速度快、集成密度高、功耗低、可靠性强等优势，磁阻随机存储器成为了未来通用存储器的重要候选技术之一。
磁阻随机存储器是以磁性存储单元作为介质存储，储存单元主要包括磁隧道结和与之串联的晶体管。在分类上，磁阻随机存储器可分为自旋转移矩（STT）MRAM和触发型（Toggle）MRAM两大类，其中Toggle MRAM是市场主流产品，市场占比超过七成。但STT-MRAM更容易实现高密度、低成本、低功耗，是未来市场发展趋势，预计到2026年，STT-MRAM将正式取代Toggle MRAM成为市场主流产品。
根据新思界产业研究中心发布的《
2022-2026年中国磁阻随机存储器（MRAM）行业市场行情监测及未来发展前景研究报告》显示，2021年，全球磁阻随机存储器市场规模达到1.5亿美元，随着传输需求增加，磁阻随机存储器市场规模将进一步扩大，预计2026年达到4.0亿美元。全球范围内，磁阻随机存储器市场主要分布在北美、欧洲以及亚太等地区，欧美地区磁阻随机存储器市场起步早、技术先进、研发能力强，占据磁阻随机存储器市场重要份额。
从产业链来看，磁阻随机存储器产业链上游为原材料供应层，包括半导体材料、晶体管、塑料材料、磁性薄膜材料等；产业链中游为磁阻随机存储器生产层；下游为应用层，磁阻随机存储器在消费电子、汽车、机器人、航天航空、国防军工等领域具有广阔应用前景。
从市场竞争格局来看，欧美企业起步早、技术先进，在国际市场竞争中处于有利地位，如美国Avalanche、英国Cobham、法国Crocus Technology、美国Honeywell International等。近年来，随着新兴经济体经济崛起，亚太地区也涌现出一批具有一定竞争优势的磁阻随机存储器企业，包括日本CANON ANELVA、日本FUJITSU、韩国SK Hynix等。在相关企业积极研发下，磁阻随机存储器市场将得到进一步发展。
新思界
行业分析人士表示，目前磁阻随机存储器市场规模较小，但作为新型存储技术，磁阻随机存储器具有读取速度快、集成密度高、功耗低、可靠性强等优势，在数据传输需求增长、企业研发能力提升等因素驱动下，磁阻随机存储器或将逐步取代传统存储器，未来市场发展前景较好。
