MRAM，磁阻随机存取存储器，简称磁性存储器，是依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息的存储技术，是一种新型非易失性存储器（NVM）技术。
存储器直接影响计算机的读写速度，以及功能集成度与功耗，是计算机的重要组成部分。在目前的计算机结构中，同时使用主存、硬盘来读写数据，有必要时还会采用高速缓存。主存一般采用DRAM，其读写速度快，但断电后数据无法保存；硬盘一般采用NAND Flash，是非易失性存储器，但读写速度慢；高速缓存一般采用SRAM，其读写速度更快，但同样是易失性存储器。
传统的主存、缓存、硬盘难以同时兼顾各项性能指标；随着计算机性能不断提升，采用传统材料与传统工艺的半导体存储器性能提升存在瓶颈；人工智能、物联网技术发展，CPU对数据访问与传输更加频繁。在此情况下，传统半导体存储器已经无法满足需求，新型存储器研发需求迫切。
MRAM具有非易失性、读写速度快、静态功耗极低、与CMOS工艺兼容、使用寿命长等优点，主要包括STT-MRAM（自旋转移矩磁性随机存储器）、SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存储器）、VCMA-MRAM（电压控制磁性随机存储器）、VGSOT-MRAM（电压门辅助自旋轨道矩磁性随机存储器）等产品类型。
STT-MRAM在替代SRAM高速缓存方面仍存在读写速度不足问题；SOT-MRAM体积较大；VCMA-MRAM是STT-MRAM的升级产品，但其制造材料还需突破；VGSOT-MRAM将SOT-MRAM、VCMA-MRAM二者的优点相结合，能够同时满足主存、缓存、硬盘要求，但制造工艺复杂，工业化道路漫长。目前，市场上较为普遍的SRAM产品是STT-MRAM，具有体积小、成本低等优点，并拥有良好的读写速度、可重复写入次数、功耗等性能。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2027年中国MRAM（磁性存储器）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，MRAM应用场景包括但不限于计算机、可穿戴智能设备、人工智能设备、物联网设备、汽车电子、航空航天等领域，有望成为一种新的通用型存储器，来替代DRAM、SRAM、NAND Flash等半导体存储器使用。在全球范围内，已有宝马、空客在其汽车发动机控制系统、飞机飞行控制系统中采用MRAM，以避免数据损坏或丢失。
新思界
行业分析人士表示，在海外市场中，MRAM布局厂商主要有Everspin公司、霍尼韦尔、Cobham公司、三星、东芝、SK海力士、英特尔等，其中，Everspin公司（前身飞思卡尔）是第一个商业化生产MRAM的厂商。在我国市场中，北京航空航天大学、中科院微电子所等科研院所，以及浙江驰拓、上海磁宇、中芯国际等企业均在加大力度研发MRAM。
