GAAFET，全栅场效应晶体管，也称为全环栅晶体管，是一种新型的环绕式栅极场效应晶体管技术。GAAFET是最有竞争力的FinFET的替代产品，其通道控制能力更强，可抑制漏电流产生，在提高晶体管性能的同时可减小其尺寸，且能耗更低。GAAFET是一种实现更先进工艺制程芯片的重要晶体管工艺。
半导体技术不断进步，集成电路遵循摩尔定律，每约18个月其上集成的晶体管数量会增加一倍，这就要求晶体管尺寸需要缩小到原来的一半，并且性能还需提升。芯片工艺制程达到22nm时，由于漏电流概率提升、电子迁移率降低，传统的MOSFET工艺已不再适用，FinFET成为主流晶体管工艺，一直应用到5nm芯片制造中。当芯片工艺制程达到3nm时，FinFET达到物理极限，漏电流概率提升，影响晶体管性能稳定性。
目前，三星计划在3nm芯片、英特尔计划在5nm芯片制造中采用GAAFET工艺，台积电计划在第一代3nm芯片中依然采用FinFET工艺，但计划在2nm芯片中采用GAAFET工艺。在半导体巨头的带动下，未来全球最先进工艺制程芯片制造中，GAAFET将取代FinFET成为主流晶体管工艺。
在全球范围内，GAAFET相关厂商主要有荷兰恩智浦半导体（NXP semiconductors）、瑞士意法半导体（STMicroelectronics）、德国英飞凌半导体（Infineon Technologies）、德国艾赛斯（IXYS）、美国功率集成（Power Integration）、美国英特尔（Inter）、美国仙童半导体（Fairchild Semiconductor）、韩国三星（SAMSUNG）、日本东芝（Toshiba）、日本瑞萨电子（Renesas）等。
GAAFET是一种新的晶体管工艺，可推动半导体产业技术进步。虽然GAAFET在取代FinFET方面已成业内共识，但仍面临着技术挑战，例如包括沟道形成工艺在内的关键技术壁垒高，制造流程复杂，目前良品率较低，产品成本较高。GAAFET生产对企业的设计、开发、制造等实力要求高，并需要专用的生产设备，短期来看，仅能够应用在最先进的工艺制程芯片中。
FinFET在5nm及以上工艺制程芯片制造中处于主导地位，目前，5nm、7nm芯片在手机、电脑中仍是主流产品，在其他场景中14nm芯片也被广泛应用。新思界
行业分析人士表示，短期来看，FinFET仍将是主流的晶体管工艺，受技术壁垒、性价比限制，GAAFET在5nm及以上工艺制程芯片中难以取代FinFET。但长期来看，2022年9月，台积电3nm芯片即将量产，2023年将稳定量产，三星、英特尔将跟进，未来3nm及以下工艺制程芯片应用比例将逐步攀升，GAAFET的市场空间将不断增大。
