Bizen晶体管，是由英国SFN公司开发的一种新型晶体管结构，是将双极结型晶体管与齐纳二极管两者的概念结合为一体，利用量子隧穿效应，消除了传统的双极型晶体管中的金属层及电阻，从而改善了产品的性能。Bizen晶体管在提高晶体管性能的同时，可以缩小晶体管尺寸，能够满足大规模集成电路的发展需求，是传统晶体管的升级方向之一。
根据摩尔定律，集成电路上晶体管的数量每约18个月会增加一倍，芯片的性能因此提升，但芯片微型化发展也是一种趋势，其尺寸无法再增加。这就要求晶体管在维持甚至提高性能的基础上，尺寸需要缩小到原有的一半。晶体管尺寸缩小，漏极与源极之间距离需同步缩小，这就导致短沟道效应产生，漏电流概率提升；而若要控制漏电流，在保证晶体管可靠性的同时提高性能，其尺寸必须增大。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年Bizen晶体管行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，随着处理信息量增多，市场对芯片的计算能力要求不断提升，由于高性能与小尺寸不可兼得，传统的晶体管不再适用，新型晶体管研发需求迫切。SFN公司是一家英国初创公司，其与苏格兰Semefab公司合作，开发出Bizen晶体管，这种晶体管内同时具有逻辑晶体管与功率晶体管功能，在缩小晶体管尺寸的同时提高了晶体管性能。这是Bizen晶体管的优势之一。
Bizen晶体管的另一优势是，与传统MOSFET晶体管相比，Bizen晶体管能够大幅降低工艺复杂性，制造流程更为简单，交付周期大幅缩短，仅有MOSFET晶体管的1/5。此外，晶体管可以采用碳化硅、氮化镓等新一代半导体材料进行制备，也能够提高晶体管性能，与这两种晶体管相比，Bizen晶体管性能接近，由于生产周期更短，其碳排放量更低，更符合“碳中和”发展要求。
新思界
行业分析人士表示，Bizen晶体管是传统MOSFET晶体管的升级方向之一，且具有明显的经济效益与环境效益，拥有较大发展潜力。从主流晶体管工艺来看，22nm工艺制程芯片之前，主要采用MOSFET晶体管，22nm-5nm工艺制程芯片主要采用FinFET晶体管，从目前3nm、2nm工艺制程芯片发展态势来看，GAAFET将处于主导地位。Bizen晶体管由英国SFN公司开发，拥有专利壁垒，若无明显性价比优势，在撼动主流晶体管市场地位上难度较大，其未来发展前景还有待观察。
