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宽禁带半导体材料性能优异 市场发展空间广阔

2022-09-21 10:04      责任编辑:杨光    来源:www.newsijie.com    点击:
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        禁带指价电子所在能带与自由电子所在能带之间的间隙。宽禁带半导体材料指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料。宽禁带半导体材料具有热传导率高、击穿电场强度高、抗辐射能力强、热稳定性好等优势,属于第三代半导体材料。

        宽禁带半导体材料主要包括氮化镓(GaN)、金刚石以及碳化硅(SiC)。碳化硅材料为宽禁带半导体材料核心,2021年全球碳化硅材料市场规模达5.5亿美元,占比达54.2%。碳化硅材料的禁带宽度约为3.2eV,具有极佳耐高压性能。与此同时,碳化硅材料能量转换效率极高,为硅基器件的10.0倍,在半导体衬底材料制备中获得广泛使用。

        根据新思界产业研究中心发布的《2022-2026年中国宽禁带半导体材料市场可行性研究报告》显示,在应用领域方面,宽禁带半导体材料主要应用于新能源汽车、光伏发电、半导体照明、轨道交通等领域。宽禁带半导体材料可用于制造光伏逆变器,能极大提高光伏逆变器转换效率,减少能量损耗。近年来,我国光伏逆变器产量不断提升,据中国光伏协会统计数据显示,2020年我国光伏逆变器产量达100.7GW,同比增长37.0%。在市场需求带动下,我国宽禁带半导体材料市场规模不断扩大,2021年已突破10.0亿元。

        吉林省天富能源、宁波江丰电子、浙江东尼电子、山东天岳先进等为我国宽禁带半导体材料龙头企业。天岳先进专注于宽禁带半导体碳化硅衬底材料研发、生产和销售,市场占有率连续三年保持全球前三。目前,天岳先进在8.0英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术上实现新突破,逐渐缩小与海外先进水平之间的差距。据天岳先进企业年报显示,2021年公司实现营收4.9亿元,同比增长16.3%。

        国家对宽禁带半导体材料行业发展高度重视。2021年发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中明确提出,要瞄准前沿领域,推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

        新思界行业分析人士表示,宽禁带半导体材料应用领域广泛,随着市场需求逐渐释放,行业规模将进一步扩大。碳化硅作为宽禁带半导体材料主流产品,在半导体衬底材料领域需求旺盛。在国家政策推动以及龙头企业技术创新等积极因素推动下,我国宽禁带半导体材料将获得广阔发展前景。
关键字: 宽禁带半导体材料 第三代半导体材料