氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
氮化镓作为第三代半导体材料，具有耐高温、兼容性高、热导率高、宽带隙等优势，在我国应用较为成熟。按照衬底材料不同，氮化镓外延片又可分为氮化镓基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓以及硅基氮化镓四类。硅基氮化镓外延片生产成本低且生产技术较为成熟，为目前应用最广泛的产品。
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。氮化镓外延片行业技术壁垒较高，欧美国家占据全球技术垄断地位。在市场需求旺盛以及技术创新带动下，我国氮化镓外延片行业获得快速发展，正逐渐缩小与欧美国家之间的差距。
氮化镓外延片主要应用于光电子器件、射频器件以及电力电子器件生产制造中。氮化镓射频器件为氮化镓外延片最大需求端，具有大功率射频输出以及高导热性能高等优势。随着国防军事建设步伐不断加快，我国射频器件在国防信息化装备中获得广泛使用。2021年我国射频器件市场规模达215.9亿元，同比增长14.2％。在此背景下，氮化镓外延片市场需求不断提升。
根据新思界产业研究中心发布的《
2022-2027年氮化镓外延片行业风险投资态势及投融资策略指引报告》显示，目前，全球氮化镓外延片产能集中于日本、美国、德国，知名氮化镓外延片生产商包括日本三菱化学、日本SCIOCS、美国安森美、德国英飞凌等，以上企业占据全球市场近40.0％的份额。近年来，我国氮化镓外延片企业规模不断扩张，逐渐在全球市场具备竞争优势。大连芯冠、苏州晶湛、重庆聚力成、台湾积体电路制造为我国氮化镓外延片主要生产商。
新思界
行业分析人士表示，氮化镓外延片在第三代半导体材料行业发展中占据重要地位，随着市场需求逐渐释放，氮化镓外延片行业发展空间不断增大。近年来，在国家政策支持以及技术创新等积极因素影响下，我国氮化镓外延片生产企业不断突破技术瓶颈，带动行业进入快速发展阶段。
