铌酸锂是一种无机物，化学式为LiNbO3，是一种负性晶体、铁电晶体，经过极化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等多种性能，同时具有光折变效应。薄膜铌酸锂芯片即通过“离子切片”的方式，从块状的铌酸锂晶体上剥离出铌酸锂薄膜，并键合到附有二氧化硅缓冲层的Si晶片上，形成的LNOI（LiNbO3 on insulator）芯片。
从市场需求来看，近年来，在5G、云计算、人工智能等产业快速发展的推动下，光通信的传输数据量、传输速度等要求不断提高，加之国家产业政策的支持与鼓励，国内薄膜铌酸锂芯片及器件需求量快速增长。根据新思界产业研究中心发布的
《2023-2028年中国薄膜铌酸锂芯片行业市场深度调研及发展前景报告》，2022年，中国薄膜铌酸锂芯片及器件需求量为5.51万件，增长率为34.3%。
虽然近年来，薄膜铌酸锂作为新的集成光电子材料平台受到了广泛的关注，但薄膜铌酸锂芯片技术壁垒较高，如光波导刻蚀工艺，现有的铌酸锂波导刻蚀工艺会在波导的侧壁形成一定的角度（一般为40°-80°），倾斜的波导侧壁限制了相邻波导之间的最小间距，这对于光学微结构的制作提出了很大的挑战，因此，现阶段薄膜铌酸锂芯片行业产业化程度较低。
从企业数量方面来看，薄膜铌酸锂芯片例如需要洁净生产间、芯片生产/封装设备，相应的人才和工艺团队，行业技术、资金壁垒高，限制了潜在投资者进入，现阶段，虽然已有部分企业与机构已经布局薄膜铌酸锂芯片行业，但大部分企业与机构仍处于研究阶段，具备生产能力的企业数量较少，导致行业内产能较小，薄膜铌酸锂芯片产品供应能力较弱，且企业生产的薄膜铌酸锂芯片一般直接用于电光调制器的生产，很少对外销售。
我国薄膜铌酸锂芯片市场集中度高，珠海光库科技股份有限责任公司、江苏铌奥光电科技股份有限公司、宁波元芯光电子科技有限公司、北京世维通科技股份有限公司等几家企业位于国内领先地位，且这些企业基本都是以铌酸锂调制器的形态向外销售产品。
新思界
行业分析师表示，在流量爆发式增长提升传输距离和容量要求的大背景下，相干光传输技术开始从骨干网下沉，广泛应用于相干光通信领域的铌酸锂调制器有望迎来较大的发展机遇，为国内薄膜铌酸锂芯片及器件销量增长提供市场基础。同时，随着薄膜铌酸锂芯片及器件产业技术的进步，国产薄膜铌酸锂芯片及器件质量还将进一步提升，产品结构也将持续优化，更好地满足应用要求，中国薄膜铌酸锂芯片及器件消费市场有望进一步增长。
