可变电阻式存储器又称阻变存储器，属于下一代存储器技术，是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。与NAND产品相比，可变电阻式存储器能耗更低，而且读写速度更是NAND存储器的1万倍，具有可以取代NAND产品的可能。
虽有诸多企业进行可变电阻式存储器相关技术研究，甚至进行产线建设及小批量生产，但由于工艺一致性、材料等方面问题，尚未进入大规模生产及应用阶段。在生产和研发领域，全球主要企业有美光、SK海力士等存储器巨头，还有富士通、松下等老牌电子器件厂商，也有如昕原半导体等新兴厂商。
松下是全球最早推出可变电阻式存储器的企业，随后富士通也推出相应的产品，并较早实现了产业化应用，但由于主流存储器的竞争，可变电阻式存储器应用规模较小，限制了全球可变电阻式存储器行业的发展。
中国可变电阻式存储器行业发展起步较晚，中芯国际、昕原半导体、兆易创新等少数几家企业从事产品的研发、生产、销售业务。在代工领域，中芯国际、台积电等企业均规划有可变电阻式存储器产线。其中，昕原半导体生产线于2022年2月建成，并基于其可变电阻式存储器推出昕·山文系列安全存储芯片。未来，随着市场需求的增长及技术的发展，或将有更多企业涉足可变电阻式存储器领域，并突破技术瓶颈，实现可变电阻式存储器的产业化、规模化生产及应用。
随着人工智能、大数据等信息技术的发展及应用，以可变电阻式存储器为代表的新一代存储器需求增加，且展现出良好的市场前景。根据新思界产业研究中心发布的《
2023-2027年可变电阻式存储器行业深度市场调研及投资策略建议报告》预测，2027年全球可变电阻式存储器市场规模将超过5亿元。
新思界
行业分析师表示，中国相关企业在可变电阻式存储器领域虽然起步较晚，技术积累薄弱，但技术研发及投入方面积极性较高，产业化推进速度较快。相比于中国在主流的NAND、NOR等传统类型存储器方面的落后局面，可变电阻式存储器与国际领先水平的差距较小。
