碲镉汞外延片是指采用分子束外延工艺，使单晶衬底上生长一层或多层碲镉汞薄膜而制成的产品。碲镉汞外延片是一种先进半导体材料，主要用于单片大面阵红外探测器制备场景，在航空航天、国防军工等尖端领域有着广阔应用前景。
碲镉汞外延片的外延材料为碲镉汞（HgCdTe）。碲镉汞是指由Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化镉和碲化汞组成的三元固溶体半导体，有着电子迁移率高、热激发速率小、电子有效质量小、响应速度快等特点，主要用于制造碲镉汞红外探测器。碲镉汞生产难度较高，我国在20世纪90年代末才实现自主生产，目前市场供应量还比较少。
碲镉汞外延片主要用于大面阵碲镉汞红外焦平面探测器制造场景。碲镉汞焦平面红外探测器属于制冷型探测器的一种，有着图像成像清晰、灵敏度高、波段覆盖范围大（可实现对整个红外波段的探测）等优点，目前已成为航空、军事领域应用广泛的高端红外探测器之一。经过近些年发展，我国已具备碲镉汞焦平面红外探测器自主生产能力，且随着研发进程加快，其生产能力持续提升。
碲镉汞外延片生产可分为衬底的预处理、装片工艺，碲镉汞生长条件的控制，后道工艺与材料的评价三大部分，生产过程较复杂、难度较大。目前国内具备碲镉汞外延片生产能力的企业数量还比较少，仅有浙江珏芯微电子有限公司、武汉高芯科技有限公司、武汉高德红外股份有限公司等少数几家。
新思界
行业分析人士表示，碲镉汞外延片是碲镉汞红外探测器生产所需重要材料之一，其行业发展与碲镉汞红外探测器行业发展息息相关。当前在我国国防建设进程持续加快背景下，碲镉汞红外探测器市场持续发展，进而带动碲镉汞外延片需求不断增加，行业发展前景良好。但受技术限制，目前我国具备碲镉汞外延片生产能力的企业数量还比较少，未来行业成长空间巨大。
