硅漂移室探测器(SDD),是一种半导体探测器,是新型的辐射探测器,主要探测X射线,主要由硅片、电极组成,电极之间施加电压,使硅片处于全耗尽状态,并形成强电场,当射线照射探测器,电离产生电子空穴对,电子、空穴分别向不同电极漂移,通过测量聚集的电子信号,可以获得射线强度、位置、时间等信息。
现阶段,X射线探测一般采用闪烁体探测器、碲锌镉探测器,其能量分辨率受到一定限制。硅漂移室探测器具有灵敏度高、能量分辨率高、位置分辨率高、电子信号读出速度快、工作温度较高、噪声低、体积小、重量轻、能耗低等优点,是探测X射线的最佳选择,可用于X射线能谱分析、位置灵敏探测等领域。
硅漂移室探测器市场发展潜力大。预计2023-2028年,全球硅漂移室探测器市场将以4.5%左右的复合年均增长率增长,到2028年市场规模将达到3.5亿元。
新思界
行业分析人士表示,硅漂移室探测器研发及制造技术壁垒高,在全球范围内研究生产企业数量少,主要是美国Amptek、德国Ketek,其他还有少数企业可以少量供货。因此目前全球硅漂移室探测器应用范围窄、市场规模小。我国科研实力不断提升,航空航天、国防军工领域对高性能探测器需求不断提高,在此背景下,我国政府对硅漂移室探测器关注度不断攀升,相关鼓励支持政策陆续出台。
2017年10月,国家重点研发计划重大科学仪器设备开发重点专项“超大面积硅漂移室探测器(SDD)的研制及产业化”项目启动会在武汉召开。在政策推动下,我国硅漂移室探测器相关研究机构不断增多,例如中国科学院高能物理研究所、中国船舶重工集团公司第七一九研究所、湘潭大学等。现阶段,我国湖南正芯微电子探测器有限公司已经研发出大面积硅漂移室探测器,未来我国硅漂移室探测器市场规模有望逐步扩大。