P-N结型半导体探测器，是常见的半导体探测器产品之一，可以用于激光测距、光纤通信等领域。
P型半导体，在硅或锗中掺杂硼或铟制成，可以产生空穴；N型半导体，在硅或锗中掺杂磷或锑制成，可以形成自由电子；PN结，将P型半导体与N型半导体通过扩散作用相结合制成，交接面可以形成空间电荷区，具有单向导电性。
P-N结型半导体探测器的工作原理是：PN结空间电荷区内存在势垒，势垒区内无载流子，为耗尽层，具有高电阻特征；对PN结施加反向电压，由于高电阻率，反向电压形成电场与内电场方向一致，使耗尽层增大、粒子漂移运动增强；当带电粒子照射探测器，会产生电子-空穴对，在电场作用下分别向正负极漂移，通过测量电子信号可以获得辐射强度，辐射强度与电子数量成正比。
扩散结型探测器，采用高温扩散工艺使P型半导体与N型半导体相结合形成PN结，一般是将五价磷在高温下扩散到P型硅中制造而成，具有抗辐射损伤性能强、漏电流小等优点，但难以获得大面积PN结、能量分辨率有限。
金硅面垒探测器，在N型硅表面处理得到氧化层，在氧化层上镀金膜形成PN结，具有工艺简单、成品率高、易获得大面积PN结、能量分辨率高、能量线性响应好、噪声低等优点，是P-N结型半导体探测器中，性能最为优异的产品类型。
离子注入型探测器，采用离子注入工艺制造而成，一般利用加速器产生硼离子束或者磷离子束，轰击N型硅或者P型硅表面，形成PN结，具有入射窗薄的优点，能量分辨率高于扩散结型探测器但低于金硅面垒探测器。
新思界
行业分析人士表示，在全球范围内，P-N结型半导体探测器生产商主要有霍尼韦尔（Honeywell）、安森美（ON Semiconductor）、安华高（Avago）、邦纳（BANNER）、东芝（Toshiba）、三菱（Mitsubishi）、富士（Fujifilm）等。在我国，预计2020-2028年，硅基光电探测器市场规模年复合增长率为7.4%，P-N结型半导体探测器一般采用P型硅或者N型硅为基体，是硅基光电探测器的主要产品类型之一，市场同样拥有良好发展前景。
