PIN光电二极管（PIN-PD），也称为PIN二极管、PIN结二极管、PIN光电探测器，与PN结二极管相比，其在P型半导体与N型半导体之间加入本征半导体I层，形成P-I-N结构，性能更为优越，是一种半导体光电探测器。
PIN光电二极管的P型半导体与N型半导体掺杂浓度高，但加入的I层本征半导体掺杂浓度低，因此可以增大耗尽层厚度。光照射PIN光电二极管时，绝大多数入射光在耗尽层电离产生电子-空穴对，施加电压形成电场，使电子、空穴分别向正负电极漂移，形成电流，而P型层与N型层厚度薄，入射光吸收比例低，因此可以提高响应速度。通过测量PIN光电二极管形成的电流量即可完成光探测。
PIN光电二极管的功能主要是检测光信号，并转换为电信号，具有灵敏度高、响应速度快、频带范围宽、线性输出范围宽、噪声低、结构简单、体积小、环境适应性强等特点，可以广泛应用在通信、消费电子、汽车、雷达、仪器仪表、电力、医疗器械、工业设备、航空航天、科研等领域。
PIN光电二极管是一种重要的半导体探测器，可以探测辐射，以硅为基体制造而成的硅PIN探测器，可以对带电粒子、高能射线进行探测以及能谱分析。由于硅PIN探测器是在传统P-N结探测器基础上改进得到，其性能更为优异，在部分应用领域，可以替代P-N结探测器性能最优的细分产品金硅面垒探测器使用。
新思界
行业分析人士表示，我国市场对PIN光电二极管需求不断增大，同时我国政策对辐射探测器研发支持力度不断加大，PIN探测器作为一种重要的辐射探测器，研究步伐不断加快，中国工程物理研究院等已经开发出高性能硅PIN探测器。
在全球范围内，PIN光电二极管市场参与者主要有安森美（ON Semiconductor）、霍尼韦尔（Honeywell）、思佳讯（Skyworks）、英飞凌（Infineon）、威世（Vishay）、微信半导体（Microchip、）爱彼思（Albis）、欧司朗（OSRAM）、滨松光子（Hamamatsu）、First Sensor、Kyosemi Corporation、Hamamatsu Photonics等。
