硅锂漂移探测器，也称为锂漂移硅探测器，是锂漂移型半导体探测器（锂漂移探测器）的一种，是一种锂离子漂移进入P型硅形成PIN结的探测器，需要工作在低温条件下。
硅锂漂移探测器的工作原理是，在P型硅单晶基体表面，蒸镀一层金属锂，金属锂电离能低，在反向电压作用下，被电离为锂离子，锂离子向基体的硅原子之间漂移，成为施主杂质，与基体硅中的受主杂质相结合进行补偿，形成高电阻率本征层，即灵敏区。
探测器是能谱仪（EDS）的核心组成部分，能谱仪利用不同元素X射线特征能量不同的原理对材料成分种类及含量进行分析，是扫描电子显微镜的标配设备，应用领域非常广泛。采用硅锂漂移探测器制造而成的能谱仪具有接受信号角度大的特点，可以接受更多X射线信号，且不会造成X射线强度损失，检测效率高。
2016-2022年，全球能谱仪市场年复合增长率为7.8%；2022年，全球能谱仪市场规模约为82.8亿美元；预计未来5年，全球能谱仪市场将继续以7.5%左右的复合年均增长率增长。由此来看，硅锂漂移探测器拥有良好发展前景。
硅锂漂移探测器需要工作在低温条件下，一般是液氮环境中，这是由于室温条件下锂容易扩散。随着科技不断进步，新型半导体探测器陆续被开发问世，硅漂移室探测器（SDD）具有能量分辨率高、位置分辨率高、信号读出速度快等优点，且无需工作在低温条件下，在部分应用领域已经取代硅锂漂移探测器。因此，硅锂漂移探测器存在被替代风险。
新思界
行业分析人士表示，在全球范围内，硅锂漂移探测器生产商主要有日本岛津（Shimadzu）、日本电子株式会社（JEOL）、美国赛默飞世尔（Thermo Fisher）、美国Amptek、美国Mirion Technologies、英国E2v Scientific Instruments、德国KETEK等。其中，美国Amptek、德国KETEK等少数企业还具有硅漂移室探测器供应能力。
