高纯锗探测器（HPGe探测器），是一种半导体辐射探测器，利用高纯度锗单晶形成PN结制造而成，具备一般半导体探测器的常见优良特性，并且能量分辨率高。传统的半导体探测器主要有P-N结型探测器、锂漂移型探测器，随着半导体材料提纯技术不断进步，高纯锗探测器被开发问世。
高纯锗探测器可以采用高纯度P型锗单晶或者N型锗单晶，在表面通过蒸发法或者加速器使施主杂质进入锗单晶内部形成PN结作为耗尽层。由于锗单晶纯度高而杂质浓度低，因此耗尽层电阻率高。
传统半导体探测器灵敏区厚度较薄，难以探测穿透力强的射线。高纯锗探测器利用杂质含量极低的高纯度锗单晶形成PN结耗尽层，耗尽层随电场增强而增大，若电场足够强，整块高纯锗晶体都可成为耗尽层，即灵敏区。高纯锗探测器具有灵敏区厚度大、电阻率大等特点，因此能量分辨率高、探测效率高。
按照形状、结构不同来划分，高纯锗探测器可以分为平面型探测器、同轴型探测器两大类。除探测γ射线外，高纯锗探测器由于死层（非灵敏区）薄，还可以探测X射线，应用范围与锗锂漂移探测器相比更宽。高纯锗探测器可以广泛应用在医学、化学、食品科学、核工业、工业检测、环境保护、国防安全、科学研究等领域。其中，在医学领域，高纯锗探测器可以用于放射医学方面，包括放射诊断、放射治疗。
新思界
行业分析人士表示，在全球范围内，高纯锗探测器生产商主要有美国CANBERRA、美国AMETEK ORTEC、美国Berkeley Nucleonics、美国Amptek、瑞典BSI、芬兰Mirion Technologies、意大利CAEN、意大利Baltic Scientific、中国同方威视等。在我国，还有企业不断进入高纯锗探测器市场布局，例如光智科技，计划推进高纯锗能谱仪研究，实现高纯锗核辐射探测器批量化生产。高纯锗探测器是半导体探测器的主流产品类型，未来发展前景良好。
