铌酸锂微波光子芯片是一种基于铌酸锂薄膜的微波光子芯片，其可将光信号和微波信号进行高效转换与处理。作为先进芯片技术，铌酸锂微波光子芯片具有超快响应速度、超宽带宽、高精确度、高集成度、稳定性好等优势。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024-2029年铌酸锂微波光子芯片行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，铌酸锂微波光子芯片具有优异的微波传输特性，能够实现大带宽、低损耗、高精度、高速度的数据处理，在无线通信（5G、6G）、数据中心、量子信息、光计算、消费电子、光纤宽带、自动驾驶、人工智能、航空航天、国防军工等领域应用前景广阔。
铌酸锂薄膜是铌酸锂微波光子芯片的核心材料。铌酸锂是一种重要的光学材料，具有压电、热电、铁电、光电、非线性光学等多种性能。铌酸锂技术壁垒较高，全球生产企业主要有德国爱普科斯、德国KorthKristalle、日本住友金属矿业等。我国铌酸锂市场起步晚，但发展迅速，相关企业包括福晶科技、德清华莹、天通股份、光迅科技、济南晶正、厦门博威、上海新硅聚合等。
铌酸锂微波光子芯片位于光模块产业链上游。光模块是光纤通信系统的核心器件，近年来，得益于远距离通信技术发展，光模块逐渐向高速率方向发展，其中400G光模块进入商业化阶段、800G光模块处于起步阶段、1.6T光模块处于研发阶段，随着技术突破，未来800G、1.6T光模块将成为市场主流。随着光模块高速率发展，市场对光芯片的要求也不断提升。铌酸锂微波光子芯片作为高速光模块关键潜力部件，市场发展前景广阔。
铌酸锂微波光子芯片制备过程涉及到铌酸锂薄膜生长、结构设计、图形化与刻蚀、掺杂与热处理、封装与耦合、测试与校准等环节。目前我国已研制出铌酸锂微波光子芯片，2024年香港城市大学副教授王骋团队以铌酸锂为平台，开发出微波光子芯片，该芯片处理速度是传统电子处理器的1000倍，且耗能更低。
新思界
行业分析人士表示，铌酸锂微波光子芯片具有超快响应速度、超宽带宽、高精确度等特点，可用于高速信号处理，未来在无线通讯、量子信息、光计算、人工智能等领域应用前景广阔。但整体来看，目前铌酸锂微波光子芯片市场仍处于发展初期，行业发展面临着制备工艺复杂、铌酸锂薄膜生长困难、成本高、良率低等问题。
