3D DRAM（三维动态随机存取存储器）又称垂直堆叠动态随机存取存储器，是一种先进的半导体存储技术，主要特征是堆叠了多个DRAM存储层。3D DRAM在存储容量、存取速度、体积、功耗等方面具有明显优势，可满足各种应用需求，未来应用前景广阔。
DRAM（动态随机存取存储器）是一种随机存取存储器（RAM）。DRAM主要应用在智能手机、计算机、服务器、显卡等领域，目前智能手机是其最大应用场景。传统DRAM架构以平面型为主，由于其制程工艺已接近极限，平面内加入更多存储单元越来越困难，其在存储密度、速度等方面提升空间有限。
3D DRAM工作原理与传统2D DRAM相似，但相比于传统2D DRAM，3D DRAM可通过垂直堆叠的存储单元直接存取和写入数据，具有存储容量更大、存取速度更高、物理占用空间更小、性能更高、功耗更低等优势。目前3D DRAM主要有两种实现路线，一种是多片堆叠，即保留当前DRAM技术，将多个芯片堆叠在彼此之上，另一种是单片堆叠。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024-2028年三维动态随机存取存储器（3D DRAM）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，作为下一代DRAM方案，目前全球已有多家企业和科研院校布局3D DRAM市场，包括三星电子、SK海力士、美光电子、AMD、华为、中科院微电子所、美国NEO Semiconductor等，预计2025年，3D DRAM将实现量产，2029年全球3D DRAM市场规模将突破千亿美元。
三星电子是3D DRAM领域领先企业，自2019年以来，其一直进行3D DRAM的研究。三星电子拥有垂直通道晶体管、堆栈DRAM等3D DRAM技术，目前三星电子已将3D DRAM层数升级至第八代，即236层。2024年初，三星电子在美国硅谷设立新R&D研究实验室，用于下一代3D DRAM内存的研发。
3D DRAM适应性广泛，可用于高性能计算机、移动设备、AI服务器、数据中心、人工智能、物联网、汽车等各种应用领域。3D DRAM可满足各种应用需求，应用前景广阔，但目前其也存在诸多技术瓶颈和挑战，涉及到散热和温度管理、量产成本、封装技术、高频率信号处理、存储单元的容错性等多个方面。
新思界
行业分析人士表示，目前三星电子、SK海力士等企业正致力于3D DRAM的研发和商业化，随着技术突破、应用扩展，未来3D DRAM将拥有广阔的增长空间，在发展趋势上，随着新技术的引进，3D DRAM将不断向堆叠层数更多、生态可持续性、更高性能、更高数据吞吐量等方向发展。
