碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种无机物，作为材料应用历史已经超过100年。近年来，碳化硅作为第三代半导体材料得到关注。碳化硅（SiC）材料是IV-IV族半导体化合物，具有宽禁带（Eg：3.2eV）、高击穿电场（4×106V/cm）、高热导率（4.9W/cm.k）等特点。碳化硅(SiC) MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种新型的功率半导体器件，具有高温性能好、高频特性好、低导通电阻、高击穿电压等优点。
2018年，马斯克宣布在特斯拉Model 3的主驱逆变器里使用碳化硅MOSFET代替硅基IGBT，推动了碳化硅MOSFET在汽车领域的应用。碳化硅密排结构由单向密排方式的不同产生各种不同的晶型，已发现约200种。目前最常见且应用最广泛的是4H和6H晶型。4H-SiC适用于微电子领域，用于制备高频、高温、大功率器件；6H-SiC适用于光电子领域，实现全彩显示。汽车领域的碳化硅MOSFET主要使用4H-SiC。
碳化硅MOSFET结构与硅基MOSFET产品类似，分为平面型和沟槽型，在高电压下依然能保持高速度、高效率的特点。平面型结构目前是市场中的主流，工艺简单、单元一致性较好，但是沟槽型在导通电阻、以及开关损耗上的优势明显，许多企业如英飞凌、罗姆等均在积极推进沟槽型碳化硅MOSFET研发。
新思界产业研究中心整理发布的《
2024-2028年中国碳化硅MOSFET市场行情监测及未来发展前景研究报告》显示，当前，全球碳化硅MOSFET企业主要为科锐、英飞凌、意法半导体、罗姆、三菱电机等国际大厂，产品在主驱逆变器中已经得到两场应用，而国内企业起步相对较晚，派恩杰、泰科天润、国基南方、爱仕特等企业已经开始供货。整体而言，国内碳化硅MOSFET企业整体技术水平相较于领先的国际大厂仍有差距，不过随着技术的持续发展，国内碳化硅MOSFET也已经量产。如国基南方、55所团队研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1500万只，累计上车超200万辆。
自2018年特斯拉推出使用在主驱逆变器里碳化硅MOSFET替代传统的硅基IGBT的车型后，现代、起亚、通用、比亚迪、吉利、蔚来等也都推出相关车型。根据英飞凌的测试，若将电压提高到800V后，使用SiC MOSFET替代Si-IGBT有望将系统效率提升7.6%。业内人士预测，今后车规级器件中碳化硅的应用比例将会进一步提升，800伏MOS器件将会成为主流。预计今后几年，碳化硅MOSFET产品市场渗透率将会持续增长，行业市场前景向好。
