3D NAND,又称三维NAND,指通过垂直堆叠存储单元来增加存储密度的的闪存类型。与传统2D NAND相比,3D NAND具有耐用性好、读写速度快、功耗低、存储容量大等优势,适用范围极广。
3D NAND在物联网、消费电子、数据中心、医疗设备、汽车制造、航空航天、国防军工等众多领域拥有广阔应用前景。在消费电子领域,3D NAND可应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑的存储单元;在数据中心领域,其可用于构建企业级数据中心存储系统,具备高可靠性以及高效能等优势;在国防军工领域,其可在极端恶劣环境中实现数据存储,可用于军用无人机以及军用卫星通信系统。
2D NAND,又称平面NAND,为传统NAND FLASH闪存技术,其单位面积存储容量难以继续提高,目前行业发展受限。伴随应用需求增长,3D NAND逐渐代替2D NAND,成为闪存主流技术。根据新思界产业研究中心发布的《
2024年全球及中国3D NAND(三维NAND)产业深度研究报告》显示,2023年全球3D NAND市场规模超过500亿美元,同比增长近20%。未来随着技术进步,3D NAND行业发展速度将进一步加快,预计到2028年将占据闪存市场近99%的份额。
全球3D NAND市场主要参与者包括韩国三星集团(Samsung)、韩国海力士株式会社(SK hynix)、日本东芝株式会社(TOSHIBA)、美国西部数据公司(Western Digital)、美国英特尔公司(Intel)、美国美光科技股份有限公司(Micron Technology)等。三星集团为全球较早推出3D NAND产品的企业之一,目前公司正在积极推进高叠层数3D NAND闪存芯片的研发工作,已具备236层3D NAND闪存芯片量产能力。
在本土方面,与海外发达国家相比,我国3D NAND行业起步较晚,于2016年才实现相关产品批量化生产。长江存储、东芯股份等为我国3D NAND市场主要参与者。长江存储专注于3D NAND闪存技术的设计及研发,目前已具备32层3D NAND芯片、128层QLC 3D NAND闪存芯片以及232层3D NAND闪存芯片量产能力。长江存储基于Xtacking 3.0技术推出的3D NAND闪存芯片X3-9070,在产品性能及技术水平上已达到全球领先。
新思界
行业分析人士表示,3D NAND作为一种高性能闪存技术,在众多领域拥有广阔应用前景。未来伴随技术进步以及应用需求日益旺盛,3D NAND市场规模将持续增长。在市场竞争方面,与海外发达国家相比,我国3D NAND行业起步较晚,但发展势头迅猛,本土企业已具备高性能产品生产实力。