4D NAND指在3D NAND架构增加一层额外优化层或维度，以提升储存效率及密度的新型闪存技术。与3D NAND相比，4D NAND具有集成化程度高、存储容量大、运行成本低等优势，可用于高端存储设备中，工业自动化、国防军工、服务器、数据中心等领域为其终端市场。
NAND FLASH又称与非型闪存技术，主要应用于智能终端、移动设备中。2D NAND属于传统NAND FLASH技术，于上世纪八十年代实现大规模应用，日本东芝株式会社为全球最早拥有2D NAND产品批量生产能力的企业。3D NAND为2D NAND替代产品，可实现大容量存储，在众多领域应用广泛，目前已成为闪存市场主流。4D NAND属于新一代闪存技术，目前尚未实现规模化应用，未来伴随技术进步以及市场需求增长，其行业发展速度将进一步加快。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024年全球及中国4D NAND产业深度研究报告》显示，4D NAND可满足存储芯片小型化、低功耗、低成本需求，在众多领域拥有广阔应用前景。在工业自动化领域，4D NAND可用于工业级存储产品中，包括智能高速轻量化存取机器人系统装备、工业级SSD固态硬盘、工业级CF/SD卡等；在数据中心领域，其可用于存储、处理和传输大量数据。近年来，受益于国家政策支持，我国数据中心建设进程不断加快，这将为4D NAND行业发展提供有利条件。
目前，4D NAND行业尚处于起步阶段，市场参与者较少。韩国海力士株式会社（SK hynix）、韩国三星集团（Samsung）、美国西部数据公司（Western Digital）以及日本东芝株式会社（TOSHIBA）为全球4D NAND代表企业。海力士于2018年推出全球首款4D NAND闪存产品——96层512Gb闪存芯片，目前公司正在积极推进321层1Tb TLC 4D NAND闪存技术的研发工作。
我国闪存技术研究起步较晚，目前尚无企业具备4D NAND闪存产品自主研发及生产实力。2023年10月，国家工信部等六部门联合发布《算力基础设施高质量发展行动计划》，文件明确提到要实现存储闪存化升级，加速存力技术研发及应用。在此背景下，我国4D NAND行业发展态势将持续向好。
新思界
行业分析人士表示，4D NAND作为新一代闪存技术，适用于多种场景。目前，4D NAND行业尚处于起步阶段，3D NAND仍占据闪存市场主导地位。预计未来一段时间，伴随本土企业持续发力以及国家政策支持，我国4D NAND市场国产化进程将进一步加快。
