二碘硅烷，简称DIS，分子式H2I2Si，是一种先进硅基前驱体材料。二碘硅烷基材适应性好，可在晶体硅、多晶硅、非晶硅、有机硅玻璃、氟硅玻璃、有机高分子聚合物基底、金属层、外延碎片式硅层等众多基材上实现气相沉积。
近年来，随着半导体制程技术发展，半导体器件小型化、超微型化发展趋势显现，我国半导体产业起步虽晚，但目前已实现6nm、5nm、4nm芯片生产。二碘硅烷被认为是半导体制程从10nm线宽向6nm线宽制程跨越的关键硅源物质，未来将发挥越来越重要的作用。
氮化硅薄膜是指以硅氮化合物为原材料制成的薄膜。原子层沉积（ALD）是氮化硅薄膜制备方式之一，但其制备的薄膜中会含有少量碳残留，影响薄膜性能。二碘硅烷是氮化硅薄膜等离子体增强原子层沉积（PEALD）工艺关键材料，作为沉积硅源，二碘硅烷在等离子增强下能够产生更活泼的硅自由基，这不仅可保持高沉积速率和无碳要求，还同时使应腔具有温度更低、压力操作更可控的特点。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024-2029年中国二碘硅烷（DIS）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，近年来，我国二碘硅烷合成技术研究热情较高，大连科利德光电子材料、洛阳中硅高科技、合肥安德科铭半导体科技、铜陵安德科铭电子材料等企业均拥有二碘硅烷合成技术相关专利布局。二碘硅烷合成路线虽多，但大多不适合于工业化生产，因此目前我国二碘硅烷生产规模还较小，产业化开发空间大，尤其是纯度在5N及以上的高纯二碘硅烷。
二碘硅烷具有多种合成路线，根据原料不同，二碘硅烷合成路线分为以硅烷与碘化氢为原料、以碘化氢和二苯硅烷为原料、以苯硅烷与单质碘为原料、以甲基苯基硅与碘化氢为原料、以二氯二氢硅和碘金属化合物为原料，以苯基三氯硅烷/氢化铝锂和碘为原料等。
福豆新材料是我国二碘硅烷主要生产企业，凭借极强的新品研发优势，福豆新材料成为二碘硅烷、WCI5、C2H2等产品研发量产企业，打破了国外企业在电子特气、半导体前驱体领域的垄断局面。新思界
行业分析人士表示，作为先进先进硅基前驱体材料，二碘硅烷产业发展政策环境较良好，随着半导体制程技术发展、薄膜沉积要求提升，二碘硅烷应用前景可期。
关键字：
