碳化硅同质外延片，又称SiC同质外延片，指采用化学气相沉积工艺制成的衬底与外延层材质均为碳化硅的外延片。与碳化硅异质外延片相比，碳化硅同质外延片具备晶格匹配度高、缺陷控制精准、表面质量好、工艺兼容性强等优势，在射频电子、功率电子以及光电子等领域拥有广阔应用前景。
在应用需求带动下，我国碳化硅外延片市场规模不断增长，2024年达到近20亿元。按照材料一致性以及工艺特性不同，碳化硅外延片可分为碳化硅异质外延片以及碳化硅同质外延片两种类型。碳化硅同质外延片综合性能优良，应用范围较广，为碳化硅外延片市场主流产品。未来伴随碳化硅外延片行业发展速度加快，碳化硅同质外延片市场空间将得到进一步扩展。
化学气相沉积法（CVD）为碳化硅同质外延片主流制备方法，该法指在高温条件下，将硅和碳的气相化合物在碳化硅基片上沉积，经过充分反应后制得成品，可细分为热丝化学气相沉积法（HWCVD）、离子体增强化学气相沉积法（PECVD）等，该法具备参数易控制、成品质量好、操作流程简单等优势。未来随着技术进步，碳化硅同质外延片产量及质量将得到进一步提升。
根据新思界产业研究中心发布的《
2025年全球及中国碳化硅同质外延片（SiC同质外延片）产业深度研究报告》显示，碳化硅同质外延片在众多领域拥有广阔应用前景，主要包括射频电子、功率电子以及光电子等。在功率电子领域，碳化硅同质外延片可用于新能源汽车电机驱动系统、电源转换系统、车载充电系统以及充电桩中，该领域为其最大需求端，占比达到近六成。受益于应用需求日益旺盛，碳化硅同质外延片行业发展态势将持续向好。
我国碳化硅同质外延片主要生产企业包括希科半导体、中电科、天科合达等。希科半导体专注于半导体碳化硅材料的研发、生产及销售，已具备8英寸碳化硅同质外延片规模化生产实力，技术水平位居行业领先。
新思界
行业分析人士表示，碳化硅同质外延片作为碳化硅外延片代表产品，在功率电子领域需求旺盛。未来随着下游行业发展速度加快，我国碳化硅同质外延片市场空间将得到进一步扩展。在技术方面，化学气相沉积法适合进行连续化生产，为碳化硅同质外延片主流制备方法。未来随着本土企业持续发力，我国碳化硅同质外延片行业景气度将进一步提升。
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