氮化硅陶瓷基板，指以氮化硅为主体材料制成的新型电子陶瓷基板。与其他陶瓷基板相比，氮化硅陶瓷基板具备热膨胀系数低、电绝缘性好、机械强度高等优势，在电力系统、新能源汽车以及轨道交通等众多领域拥有巨大应用潜力。
成型为氮化硅陶瓷基板制备关键环节，主要包括流延成型法、轧膜成型法以及干压成型法三种。流延成型法指将氮化硅粉末、分散剂以及有机溶剂相混合，经球磨后加入粘接剂，经过二次球磨、流延成型等流程制得成品，该法具备运行成本低、生产效率高、成品质量好等优势，可满足0.3~0.6ｍｍ厚度氮化硅陶瓷基板制备需求。
氮化硅陶瓷基板以氮化硅陶瓷（Si3N4）为原材料制成。与其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷具备高温稳定性好、断裂韧性高、硬度高等优势，应用范围较广。硅粉直接氮化法、碳热还原二氧化硅法、硅酰亚胺分解法以及自蔓延高温合成法等为氮化硅陶瓷主要制备方法。随着技术进步，我国氮化硅陶瓷产量有所提升，这将为氮化硅陶瓷基板行业发展奠定良好基础。
氮化硅陶瓷基板综合性能优良，在众多高新技术领域拥有巨大应用潜力。在电力系统中，氮化硅陶瓷基板可用于风电变流器、光伏逆变器、高压直流输电系统（HVDC）以及智能电网固态变压器中；在新能源汽车领域，其可用于汽车充放电系统中，该领域为其最大需求端，占比达到近八成；在轨道交通领域，其可用于高铁牵引变流器中。
根据新思界产业研究中心发布的《
2025-2029年全球及中国氮化硅陶瓷基板行业研究及十五五规划分析报告》显示，在应用需求拉动下，全球氮化硅陶瓷基板市场空间不断扩展。2024年全球氮化硅陶瓷基板市场规模达到近5亿美元，同比增长超过15%。未来伴随技术创新水平提升，氮化硅陶瓷基板行业发展速度将进一步加快。预计到2030年，全球氮化硅陶瓷基板市场规模将突破12亿美元。
全球氮化硅陶瓷基板市场主要集中于日本，代表企业包括日本东芝株式会社（TOSHIBA）、日本特殊陶业株式会社（Niterra）、日本丸和公司（MARUWA）等。日本东芝已掌握高性能氮化硅陶瓷基板核心准备技术，产品销量位居全球领先。
新思界
行业分析人士表示，在本土方面，金冠电气、旭光电子、臻璟新材料、国研新材、中材高新氮化物等为我国氮化硅陶瓷基板生产商。金冠电气已具备常规导热氮化硅陶瓷基板自主研发及生产实力，未来有望成为我国氮化硅陶瓷基板代表企业。
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