硅通孔CMP浆料，也称TSV抛光液，可以对硅通孔（TSV）进行抛光。硅通孔（TSV），一种3D先进封装技术，穿过硅基板使硅片内部垂直电气互联，进而实现晶圆堆叠，能够在提高芯片性能的同时减少芯片占用空间，是解决摩尔定律失效问题的重要技术手段之一。
化学机械抛光（CMP），是实现晶圆表面纳米级平坦化的关键技术，进而稳定/提高光刻质量。CMP过程中需要采用多种设备与耗材，其中，CMP浆料（CMP抛光液）是重要组成部分，其性能直接影响晶圆表面质量与芯片良率。在先进封装领域，CMP工艺不可或缺，硅通孔作为先进封装技术的一种，CMP工艺被大量使用。
根据新思界产业研究中心发布的
《2025-2029年全球及中国硅通孔CMP浆料（TSV抛光液）行业研究及十五五规划分析报告》显示，由于硅通孔技术使用铜、钨、二氧化硅、氮化硅等导电物质来填充硅通孔实现垂直电气互联，CMP浆料需要兼顾多种材料的抛光，因此硅通孔CMP浆料通常为复合抛光液，例如采用Cu/SiO2抛光液来去除铜、二氧化硅，采用SiO2/CeO2抛光液来去除二氧化硅、氮化硅。不同CMP浆料之间物理化学性质存在差异，硅通孔CMP浆料作为复合抛光液，其开发时需要考虑产品的化学兼容性与稳定性。与传统CMP浆料相比，硅通孔CMP浆料技术含量更高。
为提高芯片计算与存储能力，芯片工艺制程不断缩小，同时3D封装技术应用比例不断提高。从工艺制程来看，芯片工艺制程越小，CMP工艺步骤越多，同时对CMP浆料的稳定性要求越高；从封装技术来看，由2D封装向3D封装发展，晶圆堆叠层数增加，也增多了CMP工艺步骤。而随着CMP工艺步骤增长，CMP浆料使用量增大，因此与传统CMP浆料相比，硅通孔CMP浆料需求量更多。
由于晶圆上下两面均存在电气连接需求，在硅通孔技术中，硅通孔CMP浆料不仅应用在正面抛光方面，还存在背面抛光需求，以满足金属布线、电气互联、减薄等需求，这进一步增大了硅通孔CMP浆料的使用量。同时，硅通孔CMP浆料先使用大颗粒研磨剂粗抛以降低晶圆厚度偏差，再使用小颗粒研磨剂精抛以暴露铜柱，并且，硅通孔还存在孔洞侧壁抛光需求，硅通孔CMP浆料还需要能够均匀渗透并清除孔内残留。总的来看，与传统CMP浆料相比，硅通孔CMP浆料发展空间更为广阔。
新思界
行业分析人士表示，2024年，全球晶圆代工市场规模同比增速超过20%；目前我国已有企业例如大港股份控股孙公司采用TSV技术提供晶圆级封装服务。在此背景下，我国硅通孔CMP浆料行业前景广阔。我国代表性硅通孔CMP浆料研制厂商是安集科技，可以提供用于先进封装的硅通孔（TSV）抛光液。
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