受益于集成电路制造工艺进步 全球电子束抗蚀剂市场持续增长

　　电子束抗蚀剂，在电子束曝光工艺中采用的高分子聚合物，其以电子束为光源，当受到电子束辐照时，会发生化学性质变化，能够在集成电路上形成微纳图形。

 

　　集成电路制造过程中需要采用光刻技术，在光刻过程中，会采用光致抗蚀剂、电子抗蚀剂两种抗蚀剂产品。光致抗蚀剂即光刻胶，对波长较长的光敏感，光照后其抗蚀能力发生变化；电子抗蚀剂，对波长较短的光敏感，例如电子束、X射线等，辐照后其化学性质产生变化从而形成图形。电子束抗蚀剂属于电子抗蚀剂，利用电子束照射实现曝光工艺。

 

　　抗蚀剂的分辨率直接影响集成电路的集成度。光刻胶利用紫外光照射抗蚀剂产生反应，无法满足1微米以下高分辨率图像蚀刻要求。根据新思界产业研究中心发布的《2025年中国电子束抗蚀剂市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示，电子束抗蚀剂利用电子束照射抗蚀剂，使抗蚀剂发生分解或者交联反应，可以蚀刻得到高分辨率图形，能够满足大规模集成电路制造需求。

 

　　电子束抗蚀剂包括正性电子束抗蚀剂、负性电子束抗蚀剂两种。正性电子束抗蚀剂在电子束照射下会发生分解反应成为单体，其对电子束的敏感度相对较低，但分辨率更高；负性电子束抗蚀剂在电子束照射下会发生交联反应，其对电子束的敏感度更高，但分辨率相对较低。

 

　　电子束具有高能特点，聚合物受其辐射会同时发生分解与交联反应，电子束抗蚀剂需要避免存在此问题。电子束抗蚀剂需要具备优良的图形分辨率、电子束敏感度、基体粘附性等特点。基于以上，电子束抗蚀剂材料性能要求严格。常见的电子束抗蚀剂主要有聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚苯乙烯砜（PSS）、氢倍半硅氧烷聚合物（HSQ）等，其中，PMMA是正性电子束抗蚀剂，HSQ是负性电子束抗蚀剂。

 

　　2024年，全球电子束抗蚀剂市场规模约为2.1亿美元；预计2024-2030年，全球电子束抗蚀剂市场将继续以4.91%左右的年复合增长率上升；预计发展到2030年，全球电子束抗蚀剂市场规模将达到2.8亿美元。受益于半导体、微电子制造工艺不断进步，集成电路制程不断缩小，为满足微纳图形蚀刻需求，电子束抗蚀剂市场持续增长。

 

　　新思界行业分析人士表示，在全球范围内，电子束抗蚀剂市场参与者主要有日本瑞翁（Zeon）、日本富士胶片（Fujifilm）、美国KemLab、美国Kayaku Advanced Materials、德国ALLRESIST GmbH、德国Microchemicals、英国EM Resist、中国江苏汉拓光学材料有限公司等。

 

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