（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴，简称CCTBA，分子式（C6H10）CO2（CO）6，是一种金属化前驱体材料，具有较高的挥发性、较低的热分解温度、对水氧极其敏感等特点。
前驱体材料是半导体薄膜沉积工艺及外延生长、离子注入掺杂、蚀刻、清洗等工艺的核心材料，半导体薄膜沉积工艺是半导体制造的三大核心工艺之一。近年来，随着半导体技术向10nm工艺节点以下演进，钴前驱体凭借优异的导电特性、更强的抗电迁移能力等特点，受到了市场关注。
钴前驱体分为液体钴前驱体、固体钴前驱体两大类，其中液体钴前驱体具有低温沉积、低电阻率、结晶性良好、化学稳定性良好等特点。（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴属于液态钴前驱体，适用于半导体芯片制造过程中化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）工艺中，可提升半导体芯片的导电性和抗电迁移能力。
半导体前驱体行业具有高壁垒、高增长等特点，市场长期由德国默克集团、法国液化空气、SK Materials等国际企业占据主导。根据新思界产业研究中心发布的《
2025-2029中国（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴（CCTBA）行业市场现状综合研究及投资前景预测报告》显示，（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴作为液体钴前驱体，生产及纯化工艺要求极严苛，受技术限制，目前我国（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴生产规模较小。
我国（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴技术或产能布局企业包括福建纯铭新材料科技有限公司、福建福豆新材料有限公司、中巨芯科技股份有限公司、上海正帆科技股份有限公司、大连科利德光电子材料有限公司、江苏南大光电材料股份有限公司等。
目前相关企业正积极扩大（3,3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴产能，其中中巨芯拟在衢州市智造新城区投资新建“集成电路制造用先进电子化学材料项目”，项目实施主体为其全资子公司中巨芯（衢州）科技有限公司，建设内容包括1.5吨/年（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴。
《电子级（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴》（计划号2024-1356T-SJ）是行业标准计划之一。新思界
行业分析人士表示，（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴为高端半导体芯片前驱体代表材料，我国企业正积极突破其产业化关键技术，随着相关工艺持续优化，（3，3-二甲基-1-丁炔）六羰基二钴将在半导体、微电子、磁存储器件等领域实现更广泛应用。
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