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四(二甲氨基)锆(TDMAZ)作为高介电常数半导体前驱体材料市场发展空间大

2025-10-15 17:47      责任编辑:周圆    来源:www.newsijie.com    点击:
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四(二甲氨基)锆(TDMAZ)作为高介电常数半导体前驱体材料市场发展空间大

  四(二甲氨基)锆,也称四(二甲胺基)锆、四(二甲基铵)锆,英文简称TDMAZ或TDMAZr,Cas号19756-04-8,化学式C8H24N4Zr,分子量267.527,外观为淡黄色至绿色结晶固体状,对眼睛、皮肤有刺激性,熔点57-60℃,沸点80℃,闪点65℃,易燃烧,遇水剧烈反应释放出易燃气体,存储需充惰性气体密封并远离火种、热源。
 
  芯片集成度提高、尺寸缩小,晶体管尺寸随之减小,当晶体管栅介质厚度减薄至2nm以下时,传统采用二氧化硅(SiO2)薄膜制备的栅介质层与硅衬底之间的界面势垒易出现电子直接隧穿问题。二氧化锆(ZrO2)薄膜具有高介电常数特征,可用作晶体管栅介质材料,在显著降低漏电量的同时能够保持高电容,可以替代传统二氧化硅薄膜使用。
 
  根据新思界产业研究中心发布的《2025年中国四(二甲氨基)锆(TDMAZ)市场专项调研及企业“十五五规划”建议报告》显示,以四(二甲氨基)锆为前驱体材料,采用化学气相沉积法(CVD)、原子层沉积法(ALD)等工艺,可以在衬底材料上沉积生长高介电常数的二氧化锆薄膜,能够满足小尺寸、高性能晶体管制造需求,进而应用在45nm及以下制程工艺芯片制造方面,在传感器、存储器等制造领域发展空间大。
 
  在我国市场中,以四(二甲氨基)锆布局机构与企业主要有南京大学、苏州源展材料科技有限公司、江西华特电子化学品有限公司等。从产品供应方面来看,南京大学材料MO源研究开发中心官网展示的自主产品中包括四(二甲氨基)锆。从产能扩建方面来看,2025年5月,江西华特电子化学品有限公司华特电子永修半导体新材料中试基地项目环境影响报告书拟批准公示,一期建设项目中包括四(二甲氨基)锆生产线。
 
  新思界行业分析人士表示,从技术方面来看,南京大学申请有“四(二甲胺基)锆的合成方法”专利,在氩气气氛下,以正己烷为溶剂,以二甲胺为原料,滴加正丁基锂,在低温条件下搅拌进行反应,再加入四氯化锆进行反应,经减压蒸馏得到产品,此法原料易得、操作简单、成本较低;苏州源展材料科技有限公司申请有“四(二甲氨基)锆的合成方法”专利,在保护气氛下,将四氯化锆与烷烃溶剂混合,低温条件下加入二甲胺进行反应,再加入二烷基胺进行反应,经减压蒸馏得到产品,此法降低原料成本、提高生产安全性、缩短生产周期。
 
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