硅基氮化镓外延片，是指在硅（Si）衬底上通过外延生长技术沉积一层或多层氮化镓（GaN）薄膜的材料。
氮化镓是第三代半导体材料，在光通信、军用雷达、数据中心、新能源汽车等领域应用前景可观。根据衬底材料不同，氮化镓外延片分为硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓、氮化镓基氮化镓四大类。硅基氮化镓外延片具有抗辐射、耐高温、耐高压、热导率高、禁带宽度大等特性，可用于制造微波器件、射频器件、功率器件等。
根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2030年全球及中国硅基氮化镓外延片行业研究及十五五规划分析报告》显示，随着技术进步、下游行业需求持续增长，硅基氮化镓外延片市场具有显著发展空间。2024年全球硅基氮化镓外延片市场规模约20亿元，预计2026-2030年期间其市场将以18%年复合增长率CAGR高速增长。
2020年来，我国硅基氮化镓外延片授权发明专利数量不断增长，有利于带动该行业高端化发展，包括“一种硅基氮化镓外延片及其制备方法”、“硅基氮化镓铝外延片及其制备方法”、“一种低缺陷密度硅基氮化镓半导体外延片及其制作方法”等。
国外硅基氮化镓外延片生产企业包括Soitec、英飞凌、住友化学等。在市场需求持续旺盛驱动下，我国硅基氮化镓外延片生产企业逐渐增多，包括苏州晶湛半导体有限公司、温州芯生代科技有限公司、江苏镓宏半导体有限公司、苏州纳维科技有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、聚力成半导体（重庆）有限公司等。
晶湛半导体率先发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品及12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，填补我国氮化镓产业空白，目前该公司成长为全球唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商。南京盛鑫半导体“硅基氮化镓外延片”，入选《2026年度拟纳入南京市创新产品应用示范推荐目录公示名单（首批次新材料）》。
新思界
行业分析人士表示，硅基氮化镓外延片技术成熟度高，生产成本低，是目前应用最为广泛的一种材料。未来随着生产工艺优化、下游领域对硅外延片性能要求提升、企业加大产品创新研发力度，我国硅基氮化镓外延片行业朝着大尺寸、高端化方向发展。在市场竞争方面，晶湛半导体、聚力成半导体等企业技术实力强劲，在我国硅基氮化镓外延片市场居于领先地位。
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