氮化铝粉体的基本特征：氮化铝陶瓷粉体是一种白灰色粉末，其化学分子式为：AIN，分子重量40.99，密度3.26g/cm3，热导率理论值为320w/mk，热膨胀系数为：3.5×10-6K-1。氮化铝陶瓷粉体纯度高，粒径小，分布均匀，比表面积大，高表面活性，松装密度低，具有良好的注射成形性能，可用于复合材料，与半导体硅匹配性好，界面相容性好，能提高复合材料的机械性能和导热介电性能。
氮化铝最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末，或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末，或氯化铝与氨经气相反应制得，涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。
由于氮化铝压电效应的特性，氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜。利用氮化铝陶瓷具有较高的室温和高温强度，膨胀系数小，导热性好的特性，可以用作高温结构件热交换器材料等。利用氮化铝陶瓷能耐铁、铝等金属和合金的溶蚀性能，可用作Al、Cu、Ag、Pb等金属熔炼的坩埚和浇铸模具材料。
由于氮化铝基板较传统氧化铝具备更高散热效能，但基板及其粉体的绝大多数市占，皆掌握在京瓷(Kyocera)、德山(Tokuyama)、东洋(Toyo Aluminium K.K.， Toyal)等日系大厂手中。相较于目前LED使用的氧化铝散热基板，氮化铝的散热效益是其七倍之多，进而可大幅避免高功率和高亮度LED受热而减少寿命和稳定度，接掌下世代LED主流散热基板的呼声高涨。现阶段氮化铝散热基板主要应用于户外高功率LED照明，主因系其与传统的氧化铝仍存在两倍的价差，预计日后单价与氧化铝相当后，将有望加速渗透室内照明市场。而随着氮化铝陶瓷粉国产化的推进，氮化铝陶瓷粉的市场价格也会逐渐下降，从而进一步推进氮化铝陶瓷粉在市场中的应用进程。
新思界
产业研究中心出具的《
2019年全球及中国氮化铝陶瓷粉产业深度研究报告》显示，我国高纯AIN产业尚未形成完成的产业链，上游高纯AIN粉尚没有实现生产突破，下游的AIN-DBC主要有日资的上海申和热磁电子有限公司生产，国内企业生产规模较小，高纯AIN粉依赖进口。
