聚碲氧烷简称PTeO，是一种主链以碲-氧（Te-O）键交替构成的有机碲化物，主链排列方式与无机主链的聚硅氧烷（PDMS）、聚磷腈类似。
根据新思界产业研究中心发布的
《2025-2029年聚碲氧烷（PTeO）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，聚碲氧烷是一类新型非碳主链聚合物，具有类似半导体的光催化性能、良好的紫外线屏蔽作用、可见-近红外透光性、闭环可回收性，可用作紫外线防护材料、非均相光催化剂等，在紫外防护、光催化、可降解材料、生物医学、EUV光刻胶等领域具有潜在应用。
界面氧化聚合法可用于大规模合成聚碲氧烷，该方法能在室温下进行，具有反应重复性高、试剂绿色环保、原子利用率高等优势，有望成为未来聚碲氧烷的工业合成方法。
聚碲氧烷制备过程较简单，其热学、力学性能可以通过烷基链长度、聚合度等调控。根据烷基链碳数不同，聚碲氧烷分为PTeO4、PTeO8、PTeO12等。聚碲氧烷可通过热压成型、溶剂成型等方式加工成片材或薄膜。
近年来，作为新型极紫外（EUV）光刻胶材料，聚碲氧烷受到了广泛关注。聚碲氧烷主链中包含碲-氧键，碲-氧键在极紫外光照射下易实现原位断裂，从而达成高效的正性极紫外成像。碲元素（Te）的极紫外吸收截面超高，是碳元素的40多倍，氧元素的10多倍，这赋予了聚碲氧烷基光刻胶良好的极紫外吸收率。
2025年清华大学许华平教授团队成功研发出基于聚碲氧烷的新型光刻胶，实现了18nm线宽的新纪录。目前聚碲氧烷基光刻胶已在北京12英寸线上小规模导入，首批wafer或将在2025年9月流片。
光刻胶是半导体制造过程中的关键材料，近年来，随着集成电路工艺向7nm及以下节点推进，EUV光刻技术应用越来越广泛，与此同时，市场对EUV光刻胶的要求也不断提升。EUV光刻胶研发、生产壁垒高，日本JSR、信越化学、美国陶氏等国际巨头长期垄断这一市场。
目前EUV光刻胶多依赖化学放大机制或金属敏化团簇来提升灵敏度，普遍存在材料均一性差、随机缺陷多、灵敏度不足、线宽粗糙度大等难题。聚碲氧烷基光刻胶具备理想光刻胶关键要素，包括高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子尺度均一、构筑单元小等特点，应用前景广阔。
新思界
行业分析人士表示，作为新型非碳主链聚合物，聚碲氧烷具有多种独特性能，潜在应用价值极高，尤其在EUV光刻胶领域。目前我国高端光刻胶自给率较低，聚碲氧烷基EUV光刻胶的突破，不仅有望解决我国在高端光刻胶领域长期面临的“卡脖子”难题，也将为突破摩尔定律极限提供中国方案。
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