二异丙基氨基硅烷简称DIPAS，是一种有机氨基硅烷前体材料，具有较高的蒸气分压和反应活性，分子中含有Si-N键，其键能较低，有利于硅原子在薄膜生长过程中的参与，提高沉积效率。
二异丙基氨基硅烷是氨基硅烷化合物的一种，属于硅基前驱体材料。氨基硅烷化合物是用于沉积氧化硅、氮化硅薄膜或其掺杂变体的重要前驱体，可用于集成电路芯片制造的化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）成膜工艺中，形成芯片结构中栅极介电层、浅沟道隔离（STI）等，进一步应用在太阳能电池、电子、航空航天、军事武器、移动通讯等领域。
根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2031年中国二异丙基氨基硅烷（DIPAS）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，二异丙基氨基硅烷制备方法包括氯硅烷法、催化法等，氯硅烷法多采用一氯硅烷（MCS）、四氯化硅、三氯硅烷或二氯二氢硅等氯化硅烷，与二异丙胺基锂进行合成制备；催化法主要以甲硅烷为原料，格式试剂为催化剂，在二异丙胺溶剂中通入甲硅烷气体进行反应得到。
全球范围内，二异丙基氨基硅烷市场参与者包括美国Gelest Inc.、韩国UP Chemical、Entegris、南大光电、雅克科技、安徽博泰电子等。安徽博泰电子申请的专利“一种二异丙基氨基硅烷的制备方法”，该制备方法具有安全性高、制备成本低、操作简便、收率高等特点。
苏州源展材料科技申请的专利“一种二异丙基氨基硅烷的制备方法”，该制备方法采用苯基硅烷（提供甲硅烷基）为原料，以三氟甲磺酸取代苯基，得到三氟甲磺酸甲硅烷，使用二异丙基胺取代三氟甲磺酸基，得到二异丙基氨基硅烷，该方法具有转化率高、无氧化还原反应、安全性高等特点。
在标准建设方面，SJ/T 12215-2026《电子级二异丙氨基硅烷》已发布，将于2026年12月1日起实施，适用于半导体行业作为前驱体所需的电子级二异丙氨基硅烷产品。
新思界
行业分析人士表示，我国是全球半导体产业的重要参与者，对高纯二异丙基氨基硅烷的需求较高。为满足应用需求，目前国内多个二异丙基氨基硅烷产业化项目正在加速推进，如山东兴泰硅材科技有限责任公司的电子级硅前驱体系列产品项目（一期），其中规划建设30吨/年二异丙基氨基硅烷生产线。
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