光纤耦合是一种连接不同光纤,延长光纤链路,实现光信号聚焦与分离的技术;光电探测器是利用辐射引起材料电导率发生改变从而实现探测的器件。光纤耦合光电探测器,可以连接单模或多模、FC或PC接头的光纤,具有高带宽、高速、高灵敏度探测的优点。
光纤耦合光电探测器的波长范围覆盖可见光到近红外光区域,常见的是400-1700nm,按照所用半导体材料不同来划分,其产品主要有光纤耦合硅(Si)光电探测器、光纤耦合砷化铟镓(InGaAs)光电探测器、光纤耦合砷化镓(GaAs)光电探测器等类型。
其中,光纤耦合硅(Si)光电探测器适用波长范围一般为400-1100nm,具有响应速度快、暗电流低、可靠性高等特点;光纤耦合砷化铟镓(InGaAs)光电探测器适用波长范围进一步向近红外区域拓展,一般为800-1700nm,具有带宽大、灵敏度高、可靠性高、噪声小、结构紧凑等特点。
预计2020-2025年,全球光电探测器市场将以9.6%左右的年复合增长率增长,到2025年市场规模将达到151亿元左右。光纤耦合光电探测器作为一种高性能光电探测器,在下游市场需求逐步向高端化发展的背景下,需求正在不断上升,行业发展前景良好。
在全球范围内,光纤耦合光电探测器生产商主要有美国Thorlabs、美国OSI Laser Diode、美国Agiltron、美国II-VI Incorporated、美国Coherent、英国Gooch&Housego、德国Menlo Systems等。其中,美国Thorlabs在我国市场中主要提供光纤耦合硅(Si)光电探测器、光纤耦合砷化铟镓(InGaAs)光电探测器两种产品。
新思界
行业分析人士表示,我国高端仪器、医疗设备与工业设备研发步伐加快,市场对高性能光电探测器需求不断增长。科技部于2023年3月发布的2023年度国家重点研发计划“基础科研条件与重大科学仪器设备研发”重点专项中,提出开发光纤耦合间接电子探测器,实现在120kV透射电子显微镜和冷冻电子显微镜等仪器中的应用。这将推动我国光纤耦合光电探测器行业研制能力不断进步。