碳化硅（SiC）蚀刻环是以先进陶瓷材料碳化硅（SiC）制备的一种半导体蚀刻耗材。SiC蚀刻环主要用于半导体刻蚀工艺中，其性能和稳定性对半导体制造效率、质量具有重要影响。
SiC蚀刻环是半导体等离子刻蚀工艺的重要耗材之一。半导体蚀刻工艺分为干法刻蚀（又称等离子刻蚀）、湿法刻蚀两大类，其中等离子刻蚀为主流工艺，占比达95%以上。根据等离子体产生技术不同，等离子体刻蚀又分为电容耦合等离子体刻蚀（CCP）、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀。
根据新思界产业研究中心发布的《
2024-2029年碳化硅（SiC）蚀刻环行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，蚀刻环材料包括碳化硅（SiC）、硅（Si）、石英等。碳化硅（SiC）在耐高温性、导热性、耐离子刻蚀性、机械性等方面优于传统硅及石英材料，近年来，随着集成电路微型化发展，刻蚀机所需等离子体能量提高，SiC凭借高化学稳定性、高耐离子刻蚀性、长使用寿命等优势，在蚀刻环制造中使用越来越广泛。
SiC蚀刻环对材料的纯度要求极高，目前业内通常采用化学气相沉积（CVD）工艺进行SiC厚层块体生长，再经过精密加工制得。在国际市场上，SiC蚀刻环相关供应商有日本精密陶瓷株式会社、COMA Technology、韩国KNJ、韩国东海、CoorsTek等。SiC蚀刻环技术壁垒高，受技术限制，我国SiC蚀刻环企业较少，尤其是具备量产能力的企业。
2020年以来，由于国际矛盾冲突，日本、荷兰等国家半导体设备的出口管理趋严，我国半导体设备供应链自主可控重要性日益突出。在此背景下，我国企业加大了对SiC蚀刻环、静电卡盘、气体喷嘴等半导体设备零部件的研发力度，并取得了良好成果。
湖南德智新材料有限公司（德智新材）是国内SiC蚀刻环头部供应商，基于自研的CVD设备，在国内率先实现了SiC蚀刻环量产交付。德智新材成立于2017年，截止至目前，其已完成四次关键融资，拥有湖南株洲、江苏无锡两大研发制造基地。
新思界
行业分析人士表示，SiC蚀刻环在使用寿命、耐离子刻蚀性、耐高温性等方面优于传统石英蚀刻环及硅蚀刻环，随着刻蚀等离子体能量提高，SiC蚀刻环应用价值将进一步凸显。SiC蚀刻环技术壁垒高，国外企业占据市场主导，目前我国企业已突破SiC蚀刻环技术难关，实现量产交付，在国产替代背景下，国产SiC蚀刻环将占据更多市场。
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