氮化镓（GaN）是第三代半导体材料，具有禁带宽度高、饱和电子漂移速度高、电子迁移率高、击穿场强高的优点。氮化镓芯片与硅芯片相比，功率密度更大、体积更小、散热速度更快，适于制造大功率高频器件。随着芯片制程不断突破，3nm甚至1nm芯片研究不断深入，传统硅芯片物理极限已达到顶点，性能无法再向上提升，因此新材料制造而成的芯片受关注度提高，氮化镓芯片是关注的重点之一。
氮化镓芯片性能优异，但氮化镓材料的制备必须依靠人工合成，其技术复杂，制备速度慢，价格高昂。氮化镓芯片制造或以氮化镓单晶片为原料，其价格昂贵，或以硅基氮化镓外延片为原料，其价格低于氮化镓单晶片，但依然高昂。氮化镓芯片技术壁垒高，现阶段，全球具有量产能力的企业数量少，产能不足叠加原材料成本高，因此氮化镓芯片价格远高于硅芯片。
根据新思界产业研究中心发布的
《2021-2025年氮化镓芯片行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，氮化镓芯片可以应用在消费电子、数据中心、新能源汽车、太阳能发电、5G基站等领域，现阶段消费电子是其主要应用市场，充电器是重要下游产品。与传统硅芯片充电器相比，氮化镓芯片充电器功率更高，充电速度更快，体积更小，散热更优，成为手机厂商提升品牌价值的手段之一。我国手机品牌中，小米、OPPO等厂商已经推出多款氮化镓芯片手机充电器产品。
在海外市场中，氮化镓芯片供应商主要是美国Power Integrations（POWI）、美国纳微半导体（Navitas），这两家企业与我国小米、OPPO、联想等多家手机及电脑厂商达成合作意向，推出多款氮化镓芯片充电器。2019年9月，OPPO发布65W氮化镓快充充电器，搭载的是Power Integrations公司芯片；2020年2月，小米65W氮化镓快充充电器进入市场，采用的是纳微半导体芯片。
我国本土氮化镓芯片生产商是英诺赛科，其生产的是硅基氮化镓芯片。2021年6月，英诺赛科举行8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式，成为全球第一家实现8英寸硅基氮化镓芯片量产的企业，随着其产量逐步稳定，我国氮化镓芯片国产化率有望不断提升。全球氮化镓生产企业数量少，我国是全球最大的消费电子生产国，在中美贸易摩擦大背景下，英诺赛科发展前景值得期待。
新思界
行业分析人士表示，氮化镓技术逐步成熟，尽管其价格高昂，但在下游行业对对半导体材料性能要求不断提高的背景下，其需求仍在快速增长。现阶段，氮化镓芯片在消费电子充电器领域中渗透率不断提升，市场呈现高速增长态势，2020年其全球市场规模约为2.9亿元。未来氮化镓芯片应用领域将向充电器以外的其他领域拓展，预计2020-2025年，全球氮化镓芯片市场将以60%左右的增速高速增长，发展势头极为强劲。
