光刻是制造半导体、面板、PCB等所需的核心工艺，光刻胶是光刻工艺的关键材料，其性能高低直接影响光刻效果。光刻胶可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术含量最高。EUV光刻胶属于半导体光刻胶，应用在极紫外光刻技术中，是现阶段最为先进的半导体光刻胶产品，可实现7nm以下制程工艺。
半导体制程不断升级，7nm芯片已经成为市场主流产品，5nm芯片也已实现量产，台积电预备在2022年实现3nm芯片规模化生产，7nm及以下芯片将在较长时间内主导全球市场，利好EUV光刻胶行业发展。除EUV光刻胶外，ArF光刻胶也可用于7nm制程中，但无法用于7nm以下制程中，且EUV光刻机的成像质量更优、工艺步骤更少、良品率更高，因此EUV光刻胶未来更具市场潜力。
2015-2020年，全球半导体光刻胶市场年均复合增长率为6.2%。2020年，新冠疫情影响下，居家办公、学习需求使得手机、电脑等电子产品市场快速增长，全球半导体产业发展良好，半导体光刻胶需求继续保持上升态势。2020年，全球半导体光刻胶市场规模约为18.7亿美元。EUV光刻胶是半导体光刻胶中需求增长最为迅速的品类，预计未来3年年均复合增速将达到50%以上。
根据新思界产业研究中心发布的
《2021-2025年EUV光刻胶行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，用于7nm以下制程的EUV光刻胶成为光刻胶行业关注的重点。在全球范围内，日本JSR最早开发出用于15nm制程的EUV光刻胶，现阶段在全球EUV光刻胶市场中占据较大份额。除JSR外，全球EUV光刻胶生产商还有日本TOK、信越化学等，主要是日本企业。全球EUV光刻胶市场被日本企业所垄断。
我国电子信息产业发展迅速，光刻胶作为关键材料，国内技术瓶颈不断突破，现阶段已经具备PCB光刻胶、LCD光刻胶以及部分半导体光刻胶量产能力。但EUV光刻胶技术壁垒高，国内尚不具备生产能力，市场需求全部依靠进口。EUV光刻胶保质期较短，无法大量囤货，在国际政治经济形势多变情况下，其稳定供应存在较大不确定性，并且关键材料依靠进口，也不利于我国半导体产业发展。
新思界
行业分析人士表示，我国晶圆行业规模迅速扩大，芯片技术瓶颈不断突破，14nm芯片实现量产，7nm芯片也进入试产阶段，在此背景下，EUV光刻胶必须实现进口替代。现阶段，我国已有北京科华、南大光电等企业在攻克EUV光刻胶技术，短期来看无法实现量产，但随着技术瓶颈突破，未来我国EUV光刻胶市场有望实现国产替代。
