InGaN，氮化铟镓，也称为铟镓氮，是利用氮化铟和氮化镓所形成的三元化合物半导体。氮化铟镓是一种直接带隙半导体材料，其能隙范围能够随着铟组分摩尔分数的变化而变动，是一种理想的光电子、微电子材料，可以广泛应用在照明、显示等产业中。
LED是半导体光源，具有体积小、能耗低、发光效率高、使用寿命长等优点。在技术升级过程中，LED照明面临的挑战是在单个LED芯片中集成红光、绿光、蓝光，主要是由于将实现红光的磷化铟镓与实现蓝光、绿光的氮化铟镓组合在一起难度大。2020年，沙特阿拉伯的阿卜杜拉国王科技大学研究人员成功制造出基于自然发蓝光的半导体氮化铟镓的红色LED，有利于推动LED照明技术发展。
Micro LED是微米发光二极管，是小间距LED，具有小且薄、分辨率高、对比度高、功耗低、使用寿命长等优点，是新一代显示技术，但其量产难度大，其中一个难点即缺乏高效可靠红光Micro LED芯片。2019年，瑞典皇家科学院院士拉斯•萨缪尔松研究团队开发出包含红、绿、蓝三色的氮化铟镓MicroLED，并从实验室推广到了工业实践阶段。
在我国，从研究方面来看，2020年，南昌大学江风益院士课题组基于硅衬底氮化硅技术，引入铟镓氮红光量子阱与黄光量子阱交替生长方法，结合V型坑技术，成功制备了高效InGaN基橙-红光LED。从产业化方面来看，联创光电是国家铟镓氮LED外延片、芯片产业化示范工程企业。从国内外来看，高校、研究机构、企业等纷纷进入氮化铟镓领域布局，有利于推动氮化铟镓技术进步及产业化发展。
新思界
行业分析人士表示，LED照明已经替代了传统照明，且技术还在不断升级；Micro LED优点突出，是LED显示未来发展趋势，若技术瓶颈得到突破，市场规模有望迅速扩大。仅从照明以及显示领域来看，氮化铟镓未来市场空间广阔，叠加光伏以及其他新兴应用领域需求，氮化铟镓行业前途光明。目前，我国已有高校、企业布局氮化铟镓市场，未来率先实现量产、得到客户认可的企业发展潜力大。
