20世纪以来，集成电路产业发展迅速，MOS器件是集成电路的重要元器件，需求量持续增大。MOS，是MOSFET的缩写，是金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点，是重要的功率分立器件之一，在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段，围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。
根据新思界产业研究中心发布的
《2021-2025年围栅硅纳米线MOS器件行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，半导体工艺制程不断缩小，MOS器件尺寸随之不断减小，当达到纳米级别后，受功耗密度、散热效率等因素影响，传统MOS器件出现一系列性能问题，性能与可靠性会退化，无法满足集成电路要求。围栅硅纳米线MOS器件具有优良的栅控能力，在保持性能与可靠性方面更具优势，且具有良好的CMOS工艺兼容能力，因此成为MOS器件的重要发展方向。
在7nm及以下半导体制程工艺中，围栅硅纳米线MOS器件将有望替代传统的鳍式场效晶体管（FinFET）使用。2015-2020年，全球MOS器件市场年均复合增长率为3.0%，2020年市场规模约为416亿元。受益于通信、电子、汽车等产业发展，全球MOS器件市场规模持续增大，未来围栅硅纳米线MOS器件若能够逐步取代传统场效应晶体管，其市场空间将快速扩大。
2016年，比利时微电子研究中心（IMEC）首次报导了垂直堆叠的围栅（GAA）硅纳米线MOSFET的CMOS集成，展示了基于垂直堆叠技术的8nm直径硅纳米线GAAFET，此产品具有卓越的静电控制能力，支持最终的CMOS器件缩减。
新思界
行业分析人士表示，我国是全球最大的MOS器件市场，2020年，我国MOS器件市场规模约为187亿元，在全球总市场中的占比达到45%。我国是全球最大的智能手机、汽车生产国，5G技术处于全球领先地位，且新型电子产品不断问世，因此MOS器件市场前景好，且高性能产品需求不断上升。这些因素有利于我国围栅硅纳米线MOS器件行业发展。
我国政府对围栅硅纳米线MOS器件行业发展极为重视。“十四五”国家重点研发计划“纳米前沿”重点专项中，围栅硅纳米结构器件与三维垂直集成技术被列入，提出针3纳米及以下节点大规模集成电路制造问题，研究围栅（环绕栅）硅纳米结构（如纳米线/片）器件与三维垂直集成新工艺。未来，我国能够率先量产围栅硅纳米线MOS器件、产品得到下游客户认可的企业发展空间巨大。
