ESD，静电释放，是处于不同静电电位的两个物体间的静电电荷的转移，具有小电流、低电量、瞬间电压高的特点，会对电子元器件、集成电路造成损伤，严重时会直接造成永久性损伤甚至毁灭。当ESD设计不到位时，产生静电后，会导致电子产品运行不稳定，甚至损坏。因此，为避免电子元器件、集成电路被静电损伤，ESD设计在电子产业中作用重要，优秀的ESD设计具有一定难度。
根据新思界产业研究中心发布的
《2022-2026年中国ESD设计市场可行性研究报告》显示，静电是一种自然现象，通过摩擦、接触等方式均可产生，在工业中，生产、组装、测试、存储、运输等过程静电会不断积累，当带有静电的物体接触时电荷会转移，能够瞬间产生高电压损坏电子产品的重要元器件，例如芯片，从而造成电子产品损坏。ESD设计是电子产品设计过程中的重要一环，具有不可或缺性。
静电电荷转移方式主要包括接触放电、空气放电两种，反应在电子产品上，前者是带有静电的物体接触式放电，后者是强磁场与物体电流环路耦合放电。根据静电电荷的转移方式来设计，ESD设计通常可以考虑防止外部电荷进入、防止外部磁场、防止静电场三条路径。
在实际应用中，ESD设计可以采用的方法有：并联二极管防护，例如并联雪崩二极管、齐纳二极管、瞬态二极管等；串联阻抗防护，例如串联压敏电阻、铁氧磁珠等；采用LC滤波器、EMI滤波器防护；采用高压电容器防护；采用CMOS器件、TTL器件防护；增加吸收回路防护等。不同的防护方法在防护效果、成本、难易程度等方面存在差异，可根据不同应用场景进行选择。
随着电子产业技术不断进步，芯片功能集成度不断提高、制程工艺不断缩小，目前7纳米芯片已成为市场主流，5纳米已经实现量产，台积电计划2022年量产3纳米芯片。芯片多功能、小体积发展背景下，静电一旦对其造成损伤，将会带来更大的破坏，因此ESD保护等级要求不断提高，ESD设计难度不断增大。
新思界
行业分析人士表示，我国是全球最大的半导体市场，2021年销售规模在全球总销售额中的占比达到34.6%。根据中国半导体行业协会数据显示，2021年，我国集成电路产业销售额为10458.3亿元，同比增长18.2%。由此来看，我国ESD设计行业发展空间巨大。为在芯片上集成更多功能，集成电路上ESD设计的电压水平将会降低，未来新型的、抑制瞬态电压能力更强的ESD设计更具市场前景。
