一体化存储器，指将存储功能与计算功能集成于同一芯片或同一封装单元内的半导体器件。一体化存储器具备算力密度高、能效比高、可实现多技术路径并存等优势，在消费电子、汽车电子、数据中心以及物联网等众多领域拥有巨大应用潜力。
一体化存储器主要由存储介质、计算逻辑单元、控制与接口模块、封装基板等组件构成。存储介质为一体化存储器核心组成部分，包括DRAM和NAND Flash等。近年来，伴随本土企业持续发力以及技术进步，我国存储介质市场国产化进程不断加快，部分企业已具备高性能产品生产实力。在此背景下，我国一体化存储器行业发展速度有望加快。
一体化存储器可从多个维度进行分类。按照存储介质不同，一体化存储器可分为基于SRAM一体化存储器、基于DRAM/eDRAM一体化存储器、基于RRAM（阻变存储器）一体化存储器等；按照存算融合程度不同，可分为存内计算（CIM）、近存计算（PNM）以及存内处理（PIM）一体化存储器等；按照数据保持特性不同，可分为非易失性以及易失性一体化存储器。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2031年一体化存储器行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，一体化存储器在众多领域拥有巨大应用潜力主要包括消费电子、汽车电子、数据中心以及物联网等。在消费电子领域，一体化存储器可用于智能手机、平板电脑以及可穿戴设备中，能够满足端侧AI对于存储的大容量、低延迟要求；在汽车电子领域，其可用于L3及以上自动驾驶车辆域控制器中；在数据中心领域，其可用于近存计算方案云端推理卡上。
全球一体化存储器市场主要参与者包括韩国三星（SAMSUNG）、韩国SK海力士、美国美光（Micron Technology）等。在本土方面，长鑫科技集团股份有限公司为我国一体化存储器代表企业，占据市场较大份额。目前，长鑫科技已实现动态随机存取存储芯片（DRAM）的自主研发及规模化生产，2026年7月27日在科创板首发上市。
新思界
行业分析人士表示，随着AI算力需求爆发以及国家政策支持，我国一体化存储器行业发展速度有望加快。在行业发展初期，受技术壁垒高、生产成本高等因素限制，我国一体化存储器高度依赖进口。未来伴随本土企业持续发力以及技术进步，一体化存储器行业景气度有望提升。
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