磷化铟晶片是以高纯磷化铟单晶为原料，经切割、研磨、抛光等工序加工得到的单晶薄片，主要用作外延生长衬底。磷化铟晶片核心应用场景聚焦于高速光通信、射频毫米波半导体两大领域。预计2026-2032年，全球磷化铟晶片市场规模年复合增长率为10.9%。
磷化铟由铟、磷以1:1原子比组成，晶体为立方晶系闪锌矿结构，晶格常数约5.8687Å；常温下化学性质稳定，表面氧化速率低，在360℃以上才会发生热分解；室温下直接带隙约1.35eV，电子迁移率4500cm2/V·s，空穴迁移率150cm2/V·s；热导率高于砷化镓（GaAs），同时具备高饱和电子漂移速度与良好抗辐照性能。
按照电学性质划分，磷化铟晶片可分为n型、p型与半绝缘型三类。n型磷化铟晶片依托掺杂硫（S）、锡（Sn）的单晶加工制成，多用于激光二极管、PIN-PD等高速光电器件；p型磷化铟晶片采用锌（Zn）掺杂单晶制备，主力应用为光通信激光器、异质结双极晶体管，也可用于航天高效抗辐射太阳能电池；半绝缘型磷化铟晶片由掺铁（Fe）单晶或非掺单晶经高温退火后加工得到，电阻率区间1×10⁷~1×10⁸Ω·cm，主要用于低噪声微波器件和光电集成电路。
根据新思界产业研究中心发布的
《2026-2030年全球及中国磷化铟晶片行业研究及十五五规划分析报告》显示，在光通信领域，石英光纤的低损耗传输窗口集中在1.30~1.55μm波段，磷化铟晶片与InGaAs、InGaAsP等多元光电合金材料具备极佳的晶格匹配特性，是长距离、高速率光纤通信激光器、光探测器的核心衬底材料，也是该类光电器件产业化的唯一实用基底。伴随AI数据中心光互联技术迭代，其速率从400G持续向800G、1.6T升级，对高速光芯片性能要求持续提升，磷化铟晶片凭借优异的光电匹配性与材料稳定性，成为高端高速光芯片制备不可或缺的基底材料。
在射频与毫米波领域，磷化铟晶片是高频HEMT器件的专用外延衬底。依托磷化铟基底的优异载流子迁移率与高频特性，可制备满足毫米波高频工况的半导体器件，广泛适配5G毫米波（28GHz以上）通信场景，同时也是6G超高频毫米波器件研发测试的核心基底材料。除此之外，磷化铟晶片可作为1550nm波段车载激光雷达光纤激光器的外延衬底，支撑车载高精度激光雷达光源器件制备；同时该类晶片也是卫星通信、高精度雷达系统中高频器件的关键基底。
新思界
行业分析人士表示，2026年5月，云南锗业在接受调研者提问时表示，截至2025年底，公司磷化铟晶片产能为15万片/年（2-4英寸），2025年实际生产10.01万片，2026年计划生产18万片；2026年4月，公司启动“高品质磷化铟单晶片建设项目”，计划在现有产能基础上扩建年产30万片生产线（折合4英寸，含6000片6英寸），最终达到年产45万片产能。
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