AMB（活性金属钎焊）陶瓷覆铜基板，是依托高温真空活性钎焊工艺，使纯铜箔与陶瓷基体形成高强度冶金结合的新型复合基板材料。该工艺是在直接覆铜（DBC）技术基础上迭代优化的陶瓷金属化技术，核心机理为利用钎料体系中的钛、锆等活性金属组分，与陶瓷基体表面发生可控界面化学反应，生成具有金属导电性的界面反应层。该反应可显著改善熔融铜在陶瓷表面的润湿性，实现铜层与陶瓷基底的高强度、高可靠性钎焊结合。
AMB陶瓷覆铜基板典型结构为“铜层-钎料层-陶瓷基体-钎料层-铜层”的对称三明治复合结构。生产过程中，通过层叠组装与真空高温烧结完成整体复合，再经过曝光、显影、蚀刻、表面改性等精密制程，加工出精细化导电电路图形。从陶瓷基材类型划分，主流AMB陶瓷覆铜基板主要分为氮化硅（Si3N4）与氮化铝（AlN）两大体系。其中，氮化硅陶瓷基板凭借突出的机械强度与抗热冲击性能，在高端功率电子领域占据主导地位。
AMB陶瓷覆铜基板主要应用于高功率、高可靠性电力电子器件封装场景。相较于传统DBC陶瓷覆铜基板，AMB陶瓷覆铜基板在铜瓷结合强度、整体导热能力与冷热循环耐受性能上具备显著优势，可适配各类严苛工况下的高端功率器件封装需求。该基板下游应用场景十分广泛，覆盖新能源汽车主驱动逆变器、光伏逆变器、风电变流设备、轨道交通牵引系统、智能电网高压直流输电装置、航空航天电源系统以及大功率伺服驱动设备等领域。
从终端市场结构来看，新能源汽车是当前AMB陶瓷覆铜基板规模最大、增速最快的应用领域。相较于传统基板材料，AMB陶瓷覆铜基板的热膨胀系数与碳化硅（SiC）功率芯片匹配度更高，能够有效削弱器件工作过程中的界面热应力，降低铜瓷分层、开裂失效风险，是现阶段车规级SiC功率模块的主流封装基材2024年以来，全球新能源汽车高压平台快速普及，车规级大功率SiC功率模块市场需求持续爆发，直接带动AMB陶瓷覆铜基板市场出货量稳步攀升。
新思界
行业分析人士表示，在我国，四川富乐华半导体科技有限公司专注于功率半导体覆铜陶瓷载板（AMB、DCB、DPC）的研发、生产与销售，在内江经开区建成年产480万片活性金属钎焊功率模块载板自动化生产线。2026年8月，宁波江丰同芯半导体材料有限公司无锡惠山工厂覆铜陶瓷基板项目投产，达产后将实现年产720万片半导体芯片先进封装用覆铜陶瓷基板生产能力。
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