高纯碳化硅，指由碳和硅两种元素组成的化合物半导体材料，纯度通常要求达到99.999%及以上（5N级）。高纯碳化硅具备击穿电场强度高、能带宽度大、热导率高、化学稳定性好等优势，在半导体制造、射频通信、航空航天以及国防军工等领域有所应用。
高纯碳化硅制备方法包括化学气相沉积法（CVD）、高温固相反应法、氯硅烷法、自蔓延高温合成法等。化学气相沉积法（CVD）通过在高温条件下分解硅源和碳源气体，进而制得高纯碳化硅，存在运行成本高、对设备要求高等问题；高温固相反应法可用于制备纯度大于99.9995%的高纯碳化硅；自蔓延高温合成法为高纯碳化硅工业化制备方法，具备操作流程简单、运行成本低等优势。
根据新思界产业研究中心发布的《
2026-2030年高纯碳化硅行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，高纯碳化硅在众多领域有所应用，主要包括半导体制造、射频通信、航空航天以及国防军工等。在半导体制造领域，高纯碳化硅可用于制造SBD（肖特基势垒二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件，该领域为其最大需求端。未来伴随全球半导体产业逐渐向我国大陆转移，高纯碳化硅市场空间将得到进一步扩展。
全球高纯碳化硅代表企业包括日本罗姆半导体集团（ROHM）、美国Wolfspeed公司、美国Coherent公司等。在本土方面，河南中宜创芯发展有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、合盛硅业股份有限公司、广州珂玛科技有限公司、浙江大洋生物科技集团股份有限公司等为我国高纯碳化硅市场主要参与者。中硅高科已建成化学沉积法高纯碳化硅制备生产线，年产能达到300吨。
近年来，我国高纯碳化硅行业标准不断完善，主要包括《T/CEMIA 049-2025 晶体生长用高纯碳化硅粉体》、《T/SDAMA 010—2025 碳化硅陶瓷晶舟制品用高纯碳化硅粉体》等。在此背景下，我国高纯碳化硅行业将逐渐往规范化方向发展。
新思界
行业分析人士表示，高纯碳化硅作为第三代半导体材料，应用前景较好。未来伴随市场需求逐渐释放，我国高纯碳化硅行业发展速度有望加快。目前，我国已有多家企业具备高纯碳化硅自主研发及生产实力。未来随着本土企业持续发力，我国高纯碳化硅粉体纯度、产量以及质量将不断提升。
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